Pulido final de la superficie de la oblea de silicio.

Para lograr los requisitos de alta calidad de los procesos de circuitos de chips IC con anchos de línea menores de 0,13 μm a 28 nm para obleas de pulido de silicio de 300 mm de diámetro, es esencial minimizar la contaminación por impurezas, como iones metálicos, en la superficie de la oblea. Además, eloblea de siliciodebe exhibir características de nanomorfología superficial extremadamente altas. Como resultado, el pulido final (o pulido fino) se convierte en un paso crucial en el proceso.

Este pulido final normalmente emplea tecnología de pulido mecánico químico (CMP) de sílice coloidal alcalina. Este método combina los efectos de la corrosión química y la abrasión mecánica para eliminar de manera eficiente y precisa pequeñas imperfecciones e impurezas deloblea de siliciosuperficie.

Sin embargo, si bien la tecnología CMP tradicional es efectiva, el equipo puede ser costoso y lograr la precisión requerida para anchos de línea más pequeños puede ser un desafío con los métodos de pulido convencionales. Por lo tanto, la industria está explorando nuevas tecnologías de pulido, como la tecnología de plasma de planarización química seca (tecnología de plasma D.C.P.), para obleas de silicio controladas digitalmente.

La tecnología de plasma D.C.P es una tecnología de procesamiento sin contacto. Utiliza plasma SF6 (hexafluoruro de azufre) para grabar eloblea de siliciosuperficie. Al controlar con precisión el tiempo de procesamiento del grabado con plasma yoblea de siliciovelocidad de escaneo y otros parámetros, puede lograr un aplanamiento de alta precisión deloblea de siliciosuperficie. En comparación con la tecnología CMP tradicional, la tecnología D.C.P tiene mayor precisión y estabilidad de procesamiento y puede reducir significativamente el costo operativo del pulido.

Durante el proceso de tramitación del D.C.P, se debe prestar especial atención a las siguientes cuestiones técnicas:

Control de la fuente de plasma: Asegúrese de que parámetros como SF₆(generación de plasma e intensidad del flujo de velocidad, diámetro del punto de flujo de velocidad (foco del flujo de velocidad)) se controlan con precisión para lograr una corrosión uniforme en la superficie de la oblea de silicio.

Precisión de control del sistema de escaneo: el sistema de escaneo en la dirección tridimensional X-Y-Z de la oblea de silicio debe tener una precisión de control extremadamente alta para garantizar que cada punto de la superficie de la oblea de silicio pueda procesarse con precisión.

Investigación de tecnología de procesamiento: se requiere una investigación en profundidad y la optimización de la tecnología de procesamiento de la tecnología de plasma D.C.P para encontrar los mejores parámetros y condiciones de procesamiento.

Control de daños en la superficie: durante el proceso de procesamiento de D.C.P, el daño en la superficie de la oblea de silicio debe controlarse estrictamente para evitar efectos adversos en la preparación posterior de los circuitos del chip IC.

Aunque la tecnología de plasma D.C.P tiene muchas ventajas, al ser una tecnología de procesamiento nueva, aún se encuentra en etapa de investigación y desarrollo. Por lo tanto, es necesario tratarlo con precaución en aplicaciones prácticas y continuar con mejoras y optimizaciones técnicas.

En general, el pulido final es una parte importante deloblea de silicioproceso de procesamiento y está directamente relacionado con la calidad y el rendimiento del circuito del chip IC. Con el continuo desarrollo de la industria de los semiconductores, los requisitos de calidad para la superficie deobleas de silicioserá cada vez más alto. Por lo tanto, la exploración y el desarrollo continuos de nuevas tecnologías de pulido serán una dirección de investigación importante en el campo del procesamiento de obleas de silicio en el futuro.

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