Proceso CVD para epitaxia de obleas de SiC

El proceso de CVD para la epitaxia de obleas de SiC implica la deposición de películas de SiC sobre un sustrato de SiC mediante una reacción en fase gaseosa. Los gases precursores de SiC, típicamente metiltriclorosilano (MTS) y etileno (C2H4), se introducen en una cámara de reacción donde el sustrato de SiC se calienta a una temperatura alta (generalmente entre 1400 y 1600 grados Celsius) bajo una atmósfera controlada de hidrógeno (H2) .

Susceptor Barril Epi-wafer

Durante el proceso de CVD, los gases precursores de SiC se descomponen en el sustrato de SiC, liberando átomos de silicio (Si) y carbono (C), que luego se recombinan para formar una película de SiC en la superficie del sustrato. La tasa de crecimiento de la película de SiC normalmente se controla ajustando la concentración de los gases precursores de SiC, la temperatura y la presión de la cámara de reacción.

Una de las ventajas del proceso CVD para la epitaxia de obleas de SiC es la capacidad de lograr películas de SiC de alta calidad con un alto grado de control sobre el espesor, la uniformidad y el dopaje de la película. El proceso de CVD también permite la deposición de películas de SiC en sustratos de gran superficie con alta reproducibilidad y escalabilidad, lo que la convierte en una técnica rentable para la fabricación a escala industrial.