Estructura de barril para reactor epitaxial semiconductor

La estructura de barril Semicorex para reactor epitaxial semiconductor es la opción ideal para aplicaciones de susceptor de grafito de alto rendimiento que requieren una resistencia excepcional al calor y la corrosión. Su recubrimiento de SiC de alta pureza y su densidad y conductividad térmica superiores brindan propiedades superiores de protección y distribución de calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y consistente incluso en los entornos más desafiantes.

Nuestra estructura de barril para reactor epitaxial semiconductor está diseñada para lograr el mejor patrón de flujo laminar de gas, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.

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Parámetros de la estructura del barril para el reactor epitaxial semiconductor

Características de la estructura de barril para reactor epitaxial semiconductor

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.