Barril susceptor recubierto de SiC para cámara de reactor epitaxial

El cilindro susceptor recubierto de SiC para cámara de reactor epitaxial de Semicorex es un producto de primera calidad, fabricado con los más altos estándares de precisión y durabilidad. Ofrece una excelente conductividad térmica, resistencia a la corrosión y es muy adecuado para la mayoría de los reactores epitaxiales en la fabricación de semiconductores.
Nuestro cilindro susceptor recubierto de SiC para cámara de reactor epitaxial está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
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Parámetros del cilindro susceptor recubierto de SiC para la cámara del reactor epitaxial

Características del cilindro susceptor recubierto de SiC para cámara de reactor epitaxial

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.