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Barril de reactor epitaxial recubierto de SiC

Barril de reactor epitaxial recubierto de SiC

El barril del reactor epitaxial recubierto de SiC Semicorex es un producto de grafito de alta calidad recubierto con SiC de alta pureza. Su excelente densidad y conductividad térmica lo convierten en una opción ideal para su uso en procesos LPE, ya que proporciona una distribución de calor y protección excepcionales en entornos corrosivos y de alta temperatura.

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Descripción del Producto

Cuando se trata de fabricación de semiconductores, el barril de reactor epitaxial recubierto de SiC Semicorex es la opción ideal para un rendimiento superior y una distribución de calor excepcional. Recubierto con SiC de alta pureza, este producto de grafito proporciona una excelente resistencia a la corrosión y al calor, lo que garantiza resultados confiables y consistentes en todo momento.

En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro barril de reactor epitaxial recubierto de SiC tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.


Parámetros del barril de reactor epitaxial recubierto de SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del barril de reactor epitaxial recubierto de SiC

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.




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