Sistema Epi del receptor de barril

Semicorex Barrel Susceptor Epi System es un producto de alta calidad que ofrece una adhesión de recubrimiento superior, alta pureza y resistencia a la oxidación a altas temperaturas. Su perfil térmico uniforme, su patrón de flujo de gas laminar y su prevención de la contaminación lo convierten en una opción ideal para el crecimiento de capas epixiales en chips de obleas. Su rentabilidad y personalización lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.

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Descripción del Producto

Nuestro sistema Barrel Susceptor Epi es un producto altamente innovador que ofrece un rendimiento térmico excelente, un perfil térmico uniforme y una adhesión de recubrimiento superior. Su alta pureza, resistencia a la oxidación a altas temperaturas y a la corrosión lo convierten en un producto altamente confiable para su uso en la industria de semiconductores. Su prevención de contaminación e impurezas y sus bajos requisitos de mantenimiento lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro Barrel Susceptor Epi System tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro sistema Epi con susceptor de barril.

Parámetros del sistema Epi con susceptor de barril

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del sistema Epi con susceptor de barril

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.