Susceptores de epitaxia de silicio

Puede estar seguro de comprar susceptores de epitaxia de silicio en nuestra fábrica. El susceptor de epitaxia de silicio de Semicorex es un producto de alta calidad y pureza utilizado en la industria de semiconductores para el crecimiento epitaxial del chip de oblea. Nuestro producto tiene una tecnología de recubrimiento superior que garantiza que el recubrimiento esté presente en todas las superficies, evitando que se despegue. El producto es estable a altas temperaturas de hasta 1600°C, lo que lo hace adecuado para su uso en ambientes extremos.

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Descripción del Producto

Nuestros susceptores de epitaxia de silicio se fabrican mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura, lo que garantiza una alta pureza. La superficie del producto es densa, con partículas finas y alta dureza, lo que lo hace resistente a la corrosión frente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Nuestro producto está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo laminar de gas, garantizando la uniformidad del perfil térmico. Nuestros susceptores de epitaxia de silicio previenen cualquier contaminación o difusión de impurezas durante el proceso de crecimiento epitaxial, garantizando resultados de alta calidad.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestros susceptores de epitaxia de silicio tienen una ventaja de precio y se exportan a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.

Parámetros de los susceptores de epitaxia de silicio

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Parámetros de los susceptores de epitaxia de silicio

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.