Susceptor de barril recubierto de SiC para crecimiento epitaxial

Con su densidad y conductividad térmica superiores, el susceptor de barril recubierto de SiC Semicorex para crecimiento epitaxial es la opción ideal para su uso en entornos corrosivos y de alta temperatura. Recubierto con SiC de alta pureza, este producto de grafito proporciona una excelente protección y distribución del calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante en aplicaciones de fabricación de semiconductores.

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Descripción del Producto

El susceptor de barril recubierto de SiC Semicorex para crecimiento epitaxial es la elección perfecta para la formación de capas epixiales en obleas semiconductoras, gracias a su excelente conductividad térmica y propiedades de distribución de calor. Su revestimiento de carburo de silicio proporciona una protección superior incluso en los entornos corrosivos y de alta temperatura más exigentes.

En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro susceptor de barril recubierto de SiC para crecimiento epitaxial tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.

Parámetros del susceptor de barril recubierto de SiC para crecimiento epitaxial

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor de barril recubierto de SiC para crecimiento epitaxial

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.

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