Susceptor de grafito recubierto de SiC CVD

El susceptor de grafito recubierto de CVD SiC es un componente meticulosamente diseñado para crear un ambiente térmico óptimo para la deposición controlada de películas delgadas y recubrimientos sobre obleas semiconductoras u otros materiales de sustrato. Es un elemento crítico dentro de un reactor CVD, que sirve como fuente de calor y plataforma para sostener y posicionar los sustratos durante el proceso de deposición.

Ventajas:

Deposición precisa: el susceptor de grafito recubierto de SiC CVD permite la deposición controlada y precisa de películas y recubrimientos delgados, lo que conduce a resultados reproducibles y de alta calidad.

Contaminación reducida: El recubrimiento de SiC minimiza el riesgo de contaminación del propio susceptor, asegurando la pureza de los materiales depositados.

Longevidad y durabilidad: el recubrimiento de SiC mejora la resistencia del susceptor a la oxidación y las reacciones químicas, lo que contribuye a su longevidad y confiabilidad durante un uso prolongado.