La importancia de los materiales porosos de grafito para el crecimiento de cristales de SiC.

El componente del horno de crecimiento de cristales de SiC de Semicorex, elbarril de grafito poroso, traerá tres beneficios principales y puede fortalecer efectivamente la competitividad de los mercados nacionales.sustratos de SiC:

• Reducir el costo de los componentes de crecimiento de cristales de SiC;
• Aumente el espesor del cristal de SiC y reduzca el costo total del sustrato;
• Mejore el rendimiento de los cristales de SiC y mejore la competitividad corporativa.

Agregar láminas de grafito poroso a los hornos de crecimiento de cristales de SiC es uno de los puntos calientes de la industria. Se ha demostrado que al insertar ungrafito porosoláminas encima del polvo fuente de SiC, se logra una buena transferencia de masa en el área del cristal, lo que puede mejorar varios problemas técnicos existentes en los hornos de crecimiento de cristales tradicionales.

(a) Horno de crecimiento de cristales tradicional, (b) Horno de crecimiento de cristales con lámina de grafito poroso

Fuente: Universidad de Dongui, Corea del Sur

Los experimentos han demostrado que cuando se utilizan hornos de crecimiento de cristales tradicionales, los sustratos de SiC suelen tener variospolimorfos, como 6H y 15R-SiC, mientras quesustratos de SiCpreparados usando hornos de crecimiento de cristales a base de grafito poroso solo tienenmonocristal 4H-SiC. Además, la densidad de los microtubos (MPD) y la densidad de las picaduras de grabado (EPD) también se reducen significativamente. Los MPD de los dos hornos de crecimiento de cristales son 6-7EA/cm2 y 1-2EA/cm2 respectivamente, que pueden serreducido hasta 6 veces.

Semicorex también ha lanzado un nuevo proceso de "transferencia masiva única" basado enláminas de grafito poroso. El grafito poroso tiene muy buenacapacidad de purificación. El nuevo proceso utiliza un nuevo campo térmico para la transferencia de masa primaria, lo que hace que la eficiencia de la transferencia de masa sea mejorada y básicamente constante, reduciendo así el impacto de la recristalización (evitando la transferencia de masa secundaria), reduciendo efectivamente el riesgo de microtúbulos u otros defectos cristalinos asociados. Además, el grafito poroso también es una de las tecnologías centrales para resolver el problema del crecimiento y el espesor de los cristales de SiC, porque puede equilibrar los componentes de la fase gaseosa, aislar trazas de impurezas, ajustar la temperatura local y reducir partículas físicas como la envoltura de carbono. Partiendo de la premisa de que se puede utilizar el cristal,el espesor del cristalpuede ser reducido. puede aumentar significativamente.

Características técnicas deGrafito poroso Semicorex:

La porosidad puede alcanzar hasta el 65%;

Los poros están distribuidos uniformemente;

Alta estabilidad de lotes;

Alta resistencia, puede alcanzar una forma cilíndrica ultrafina de ≤1 mm.

Semicorex ofrece alta calidadgrafito porosopartes. Si tiene alguna consulta o necesita detalles adicionales, no dude en ponerse en contacto con nosotros.

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