Los portadores de obleas Semicorex MOCVD para la industria de semiconductores son un portador de primera línea diseñado para su uso en la industria de semiconductores. Su material de alta pureza garantiza un perfil térmico uniforme y un patrón de flujo de gas laminar, lo que proporciona obleas de alta calidad.
Nuestros transportadores de obleas MOCVD para la industria de semiconductores son de alta pureza y se fabrican mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura, lo que garantiza la uniformidad y consistencia del producto. También es altamente resistente a la corrosión, con una superficie densa y partículas finas, lo que lo hace resistente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos. Su resistencia a la oxidación a altas temperaturas garantiza la estabilidad a altas temperaturas de hasta 1600 °C.
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Parámetros de los portadores de obleas MOCVD para la industria de semiconductores
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Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
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Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
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Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
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Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
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Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
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Pureza química |
% |
99.99995 |
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Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
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Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
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Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
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Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
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Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
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Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.





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Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
Susceptor MOCVD recubierto de SiC
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Placa de disco en estrella con cubierta MOCVD para epitaxia de oblea
Plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC