Semiconductor portador de oblea

Semicorex proporciona cerámica de calidad semiconductora para sus herramientas de semifabricación OEM y componentes de manipulación de obleas centrándose en capas de carburo de silicio en industrias de semiconductores. Hemos sido fabricantes y proveedores de semiconductores Wafer Carrier durante muchos años. Nuestro semiconductor Wafer Carrier tiene una buena ventaja de precio y cubre la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Los procesos de deposición de semiconductores utilizan una combinación de gases precursores volátiles, plasma y altas temperaturas para formar capas de películas delgadas de alta calidad sobre obleas. Las cámaras de deposición y las herramientas de manipulación de obleas necesitan componentes cerámicos duraderos para resistir estos entornos desafiantes. Semicorex Wafer Carrier Semiconductor es carburo de silicio de alta pureza, que tiene altas propiedades de resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro semiconductor portador de obleas.

Parámetros del semiconductor portador de oblea

Propiedades técnicas
Índice	Unidad	Valor
Nombre del material		Carburo de silicio sinterizado de reacción	Carburo de silicio sinterizado sin presión	Carburo de silicio recristalizado
Composición		RBSiC	SSiC	R-SiC
Densidad aparente	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Resistencia a la flexión	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100(1400°C)
Fuerza compresiva	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Dureza	Botón	2700	2800	/
Rompiendo la tenacidad	MPa·m1/2	4.5	4	/
Conductividad térmica	W/m.k	95	120	23
Coeficiente de expansión térmica	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Calor específico	Julios/g 0k	0.8	0.67	/
Temperatura máxima en el aire	℃	1200	1500	1600
Módulo elástico	gpa	360	410	240

La diferencia entre SSiC y RBSiC:

1. El proceso de sinterización es diferente. El RBSiC sirve para infiltrar Si libre en carburo de silicio a baja temperatura, el SSiC se forma por contracción natural a 2100 grados.

2. El SSiC tiene una superficie más lisa, mayor densidad y mayor resistencia; para algunos sellados con requisitos de superficie más estrictos, el SSiC será mejor.

3. Tiempo de uso diferente bajo diferente PH y temperatura, SSiC es más largo que RBSiC

Características del semiconductor portador de oblea

- Menor desviación de longitud de onda y mayor rendimiento de chip
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Tolerancias dimensionales más estrictas conducen a un mayor rendimiento del producto y menores costos.
- Recubrimiento de SiC y grafito de alta pureza para resistencia a perforaciones y mayor vida útil

Formas disponibles de cerámicas de carburo de silicio:

● Varilla de cerámica/pasador de cerámica/émbolo de cerámica

● Tubo cerámico/casquillo cerámico/manguito cerámico

● Anillo cerámico/arandela cerámica/espaciador cerámico

● Disco cerámico

● Placa cerámica/bloque cerámico

● bola de cerámica

● Pistón cerámico

● Boquilla de cerámica

● Crisol de cerámica

● Otras piezas cerámicas personalizadas