Anillos de borde

Los anillos de borde semicorex son una parte crítica del proceso completo de fabricación de semiconductores, particularmente para aplicaciones de procesamiento de obleas, incluido el grabado por plasma y la deposición de vapor químico (CVD). Los anillos de borde están diseñados para rodear el perímetro exterior de una oblea de semiconductores para distribuir energía de manera uniforme mientras mejora la estabilidad del proceso, el rendimiento de la oblea y la confiabilidad del dispositivo. Nuestros anillos de borde están hechos de carburo de silicio de vapor químico de alta pureza (CVD SIC) y están construidos para entornos de procesos exigentes.

Los problemas surgen durante los procesos basados en plasma donde la no uniformidad energética y la distorsión plasmática en el borde de la oblea crean riesgo de defectos, deriva del proceso o pérdida de rendimiento. Los anillos de borde minimizan este riesgo al enfocar y dar forma al campo de energía alrededor del perímetro exterior de la oblea. Los anillos de borde se sientan a las afueras del borde exterior de la oblea y actúan como barreras de proceso y guías de energía que minimizan los efectos del borde, protegen el borde de la oblea de la sobre-grabación y ofrecen uniformidad adicional esencial en la superficie de la oblea.

Beneficios materiales de CVD SIC:

Nuestros anillos de borde se fabrican a partir de CVD SIC de alta pureza, que está diseñada y diseñada de forma única para entornos de procesos duros. CVD SIC se caracteriza por una conductividad térmica excepcional, una alta resistencia mecánica y una excelente resistencia química, todos los atributos que hacen que CVD SIC sea el material de elección para aplicaciones de semiconductores que requieren durabilidad, estabilidad y problemas de contaminación bajos.

Alta pureza: CVD SIC tiene impurezas cercanas a cero, lo que significa que habrá poca o ninguna partículas generadas y no hay contaminación metálica que sea vital en semiconductores de nodos avanzados.

Estabilidad térmica: el material mantiene la estabilidad dimensional a temperaturas elevadas, lo cual es crucial para la colocación adecuada de la oblea en su posición de plasma.

Inertidad química: es inerte a gases corrosivos como los que contienen flúor o cloro que se usan comúnmente en un entorno de grabado en plasma, así como a los procesos de CVD.

Resistencia mecánica: CVD SIC puede soportar agrietos y erosión durante períodos de tiempo de ciclo prolongado que garantizan la máxima vida y minimizan los costos de mantenimiento.

Cada anillo de borde está personalizado para acomodar las dimensiones geométricas de la cámara de proceso y el tamaño de la oblea; Típicamente 200 mm o 300 mm. Las tolerancias de diseño se toman muy bien para garantizar que el anillo de borde se pueda utilizar en el módulo de proceso existente sin necesidad de modificación. Las geometrías personalizadas y los acabados superficiales están disponibles para cumplir con los requisitos o configuraciones de herramientas OEM únicas.