Media luna recubierta de TaC

Halfmoon recubierto de TaC de Semicorex mantiene su integridad estructural e inercia química a las temperaturas elevadas (hasta 2200 °C) requeridas para la epitaxia de SiC. Esto garantiza un rendimiento térmico constante y evita reacciones no deseadas con los gases de proceso o los materiales de origen. Y puede diseñarse para optimizar la conductividad y la emisividad térmicas, promoviendo una distribución uniforme del calor en toda la superficie del susceptor. Esto conduce a perfiles de temperatura de oblea más homogéneos y a una mejor uniformidad en el espesor de la capa epitaxial y la concentración de dopaje. Además, el coeficiente de expansión térmica del Halfmoon recubierto de TaC se puede adaptar para que coincida estrechamente con el del SiC, minimizando el estrés térmico durante los ciclos de calentamiento y enfriamiento. Esto reduce la curvatura de la oblea y el riesgo de formación de defectos, lo que contribuye a un mayor rendimiento del dispositivo.

El Halfmoon recubierto de TaC extiende significativamente la vida útil de los susceptores de grafito en comparación con las alternativas sin recubrimiento o con recubrimiento de SiC. La resistencia mejorada a la deposición de SiC y la degradación térmica reduce la frecuencia de los ciclos de limpieza y reemplazo, lo que reduce los costos generales de fabricación.

Beneficios para el rendimiento del dispositivo SiC:

Fiabilidad y rendimiento mejorados del dispositivo:La uniformidad mejorada y la densidad de defectos reducida en las capas epitaxiales cultivadas en Halfmoon recubierta de TaC se traducen en mayores rendimientos del dispositivo y un mejor rendimiento en términos de voltaje de ruptura, resistencia de encendido y velocidad de conmutación.

Solución rentable para fabricación de gran volumen:La vida útil prolongada, los requisitos de mantenimiento reducidos y la calidad mejorada de las obleas contribuyen a un proceso de fabricación más rentable para los dispositivos de potencia de SiC.

Halfmoon recubierto de TaC de Semicorex desempeña un papel fundamental en el avance de la epitaxia de SiC al abordar desafíos clave relacionados con la compatibilidad de materiales, la gestión térmica y la contaminación del proceso. Esto permite la producción de obleas de SiC de mayor calidad, lo que da lugar a dispositivos electrónicos de potencia más eficientes y fiables para aplicaciones en vehículos eléctricos, energías renovables y otras industrias exigentes.