Si necesita un susceptor de grafito con propiedades excepcionales de conductividad térmica y distribución de calor, no busque más que el sistema Epi de barril calentado por inducción Semicorex. Su revestimiento de SiC de alta pureza proporciona una protección superior en entornos corrosivos y de alta temperatura, lo que lo convierte en la opción ideal para su uso en aplicaciones de fabricación de semiconductores.
El sistema Epi de barril calentado por inducción Semicorex es la elección perfecta para aplicaciones de fabricación de semiconductores que requieren una distribución de calor y una conductividad térmica excepcionales. Su recubrimiento de SiC de alta pureza y su densidad superior brindan propiedades superiores de protección y distribución de calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante incluso en los entornos más desafiantes.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro sistema Epi de barril calentado por inducción tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.
Parámetros del sistema Epi de barril calentado inductivamente
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
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Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
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Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
Pureza química |
% |
99.99995 |
Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características del sistema Epi de barril calentado inductivamente
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.
- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.