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Sistema Epi de barril calentado inductivamente

Sistema Epi de barril calentado inductivamente

Si necesita un susceptor de grafito con propiedades excepcionales de conductividad térmica y distribución de calor, no busque más que el sistema Epi de barril calentado por inducción Semicorex. Su revestimiento de SiC de alta pureza proporciona una protección superior en entornos corrosivos y de alta temperatura, lo que lo convierte en la opción ideal para su uso en aplicaciones de fabricación de semiconductores.

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Descripción del Producto

El sistema Epi de barril calentado por inducción Semicorex es la elección perfecta para aplicaciones de fabricación de semiconductores que requieren una distribución de calor y una conductividad térmica excepcionales. Su recubrimiento de SiC de alta pureza y su densidad superior brindan propiedades superiores de protección y distribución de calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante incluso en los entornos más desafiantes.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro sistema Epi de barril calentado por inducción tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.


Parámetros del sistema Epi de barril calentado inductivamente

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del sistema Epi de barril calentado inductivamente

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.




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