Los susceptores de Semicorex para reactores MOCVD son productos de alta calidad que se utilizan en la industria de semiconductores para diversas aplicaciones, como capas de carburo de silicio y semiconductores de epitaxia. Nuestro producto está disponible en forma de engranaje o anillo y está diseñado para lograr resistencia a la oxidación a altas temperaturas, lo que lo hace estable a temperaturas de hasta 1600 °C.
Nuestros susceptores para reactores MOCVD se fabrican mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura, lo que garantiza una alta pureza. La superficie del producto es densa, con partículas finas y alta dureza, lo que lo hace resistente a la corrosión frente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.
Nuestros susceptores para reactores MOCVD están diseñados para garantizar un recubrimiento en todas las superficies, evitando que se despeguen y logrando el mejor patrón de flujo de gas laminar. El producto garantiza la uniformidad del perfil térmico y evita cualquier contaminación o difusión de impurezas durante el proceso, asegurando resultados de alta calidad.
En Semicorex, priorizamos la satisfacción del cliente y brindamos soluciones rentables. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo, ofreciéndole productos de alta calidad y un servicio al cliente excepcional.
Parámetros de susceptores para reactores MOCVD
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Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
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Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
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Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
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Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
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Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
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Pureza química |
% |
99.99995 |
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Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
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Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
|
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
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Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
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Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
|
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.





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Susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD
Susceptor MOCVD recubierto de SiC
Susceptor MOCVD para crecimiento epitaxial
Placa de disco en estrella con cubierta MOCVD para epitaxia de oblea
Plataforma satelital de grafito MOCVD recubierta de SiC