Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor es un producto altamente duradero y confiable para el crecimiento de capas epixiales en chips de obleas. Su resistencia a la oxidación a altas temperaturas y su alta pureza lo hacen adecuado para su uso en la industria de semiconductores. Su perfil térmico uniforme, su patrón de flujo de gas laminar y su prevención de la contaminación lo convierten en una opción ideal para el crecimiento de la capa epixial de alta calidad.
Nuestro reactor de barril de deposición epitaxial CVD es un producto de alto rendimiento diseñado para ofrecer un rendimiento confiable en entornos extremos. Su adhesión superior del recubrimiento, resistencia a la oxidación a altas temperaturas y resistencia a la corrosión lo convierten en una excelente opción para su uso en entornos hostiles. Además, su perfil térmico uniforme, su patrón de flujo de gas laminar y la prevención de la contaminación garantizan la alta calidad de la capa epixial.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro reactor de deposición epitaxial CVD en barril tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.
Parámetros de la deposición epitaxial de CVD en un reactor de barril
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
||
Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
|
Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
Pureza química |
% |
99.99995 |
Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características de la deposición epitaxial de CVD en un reactor de barril
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.
- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.