Sustrato Ga2O3

Ga2O3 se destaca como un semiconductor de banda prohibida amplia, que garantiza estabilidad y resistencia en condiciones extremas, lo que lo hace ideal para entornos de alta temperatura y alta radiación.

Con una alta intensidad de campo de ruptura y valores excepcionales de Baliga, Ga2O3 sobresale en aplicaciones de alto voltaje y alta potencia, ofreciendo confiabilidad inigualable y bajas pérdidas de energía.

Ga2O3 eclipsa a los materiales tradicionales con su rendimiento energético superior. Los valores de Baliga para Ga2O3 son cuatro veces mayores que los de GaN y diez veces mayores que los de SiC, lo que se traduce en excelentes características de conducción y eficiencia energética. Los dispositivos Ga2O3 presentan pérdidas de energía de sólo 1/7 de las de SiC y una impresionante 1/49 de las de los dispositivos basados ​​en silicio.

La menor dureza del Ga2O3 en comparación con el SiC simplifica el proceso de fabricación, lo que resulta en menores costos de procesamiento. Esta ventaja posiciona al Ga2O3 como una alternativa rentable para diversas aplicaciones.

Cultivado mediante un método de fusión en fase líquida, el Ga2O3 cuenta con una calidad de cristal superior con una densidad de defectos notablemente baja, superando al SiC, que se cultiva mediante un método en fase de vapor.

El Ga2O3 muestra una tasa de crecimiento 100 veces más rápida que el SiC, lo que contribuye a una mayor eficiencia de producción y, en consecuencia, a una reducción de los costes de fabricación.

Aplicaciones:

Dispositivos de energía: el sustrato Ga2O3 está preparado para revolucionar los dispositivos de energía, ofreciendo cuatro oportunidades principales:

Dispositivos unipolares que reemplazan a los dispositivos bipolares: MOSFET que reemplazan a los IGBT en aplicaciones como vehículos de nueva energía, estaciones de carga, fuentes de alimentación de alto voltaje, control de energía industrial y más.

Eficiencia energética mejorada: los dispositivos de energía con sustrato de Ga2O3 son energéticamente eficientes y se alinean con las estrategias para la neutralidad de carbono y la reducción máxima de las emisiones de carbono.

Producción a gran escala: con un procesamiento simplificado y una fabricación de chips rentable, el sustrato de Ga2O3 facilita la producción a gran escala.

Alta confiabilidad: el sustrato Ga2O3 con propiedades de material estables y una estructura confiable lo hace adecuado para aplicaciones de alta confiabilidad, lo que garantiza una longevidad y un rendimiento constante.

Dispositivos RF: el sustrato Ga2O3 cambia las reglas del juego en el mercado de dispositivos RF (radiofrecuencia). Sus ventajas incluyen:

Calidad del cristal: el sustrato Ga2O3 permite un crecimiento epitaxial de alta calidad, superando los problemas de desajuste de la red asociados con otros sustratos.

Crecimiento rentable: El crecimiento rentable del Ga2O3 en sustratos grandes, particularmente en obleas de 6 pulgadas, lo convierte en una opción competitiva para aplicaciones de RF.

Potencial en los dispositivos GaN RF: el mínimo desajuste de la red con GaN posiciona al Ga2O3 como un sustrato ideal para dispositivos GaN RF de alto rendimiento.

Abrace el futuro de la tecnología de semiconductores con el sustrato Ga2O3, donde las propiedades innovadoras ofrecen posibilidades ilimitadas. Revolucione sus aplicaciones de energía y RF con un material diseñado para la excelencia y la eficiencia.