Sustratos de óxido de galio de 4"

Los sustratos de óxido de galio de 4" Semicorex exhiben una excelente estabilidad química y térmica, lo que garantiza que su rendimiento siga siendo consistente y confiable incluso en condiciones extremas. Esta robustez es crucial en aplicaciones que involucran altas temperaturas y ambientes reactivos. Además, los sustratos de óxido de galio de 4" mantienen una excelente transparencia óptica en un amplio rango de longitudes de onda, desde ultravioleta hasta infrarrojos, lo que lo hace atractivo para aplicaciones optoelectrónicas, incluidos diodos emisores de luz y diodos láser.

Con una banda prohibida que oscila entre 4,7 y 4,9 eV, los sustratos de óxido de galio de 4" superan significativamente al carburo de silicio (SiC) y al nitruro de galio (GaN) en intensidades de campo eléctrico críticas, alcanzando hasta 8 MV/cm en comparación con los 2,5 MV/cm del SiC y Los 3,3 MV/cm de GaN, combinados con una movilidad de electrones de 250 cm²/Vs y una mayor transparencia en la conducción de electricidad, otorgan a los sustratos de óxido de galio de 4" una ventaja significativa en la electrónica de potencia. La cifra de mérito de su Baliga supera los 3000, varias veces la de GaN y SiC, lo que indica una eficiencia superior en aplicaciones de energía.

Los sustratos de óxido de galio Semicorex de 4" son particularmente ventajosos para su uso en comunicaciones, radares, aeroespaciales, trenes de alta velocidad y vehículos de nueva energía. Son excepcionalmente adecuados para sensores de detección de radiación en estos sectores, especialmente en alta potencia, alta temperatura, y dispositivos de alta frecuencia donde Ga2O3 muestra ventajas significativas sobre SiC y GaN.