Epitaxia Ga2O3

Ingrese a una nueva era de excelencia en semiconductores con Semicorex Ga2O3 Epitaxy, una solución innovadora que redefine los límites de la potencia y la eficiencia. Diseñada con precisión e innovación, la epitaxia Ga2O3 ofrece una plataforma para dispositivos de próxima generación y promete un rendimiento inigualable en diversas aplicaciones.

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Descripción del Producto

La epitaxia Ga2O3, derivada del semiconductor de banda ancha de cuarta generación, introduce un nuevo nivel de estabilidad de rendimiento y confiabilidad en entornos extremos. Su naturaleza de banda ancha lo posiciona como un material de elección para aplicaciones de alta temperatura y alta radiación.

Fuerza de campo de alta ruptura: Benefíciese de la excepcional fuerza de campo de ruptura del Ga2O3 y de los elevados valores de Baliga, lo que lo convierte en un material incomparable para aplicaciones de alto voltaje y alta potencia. La epitaxia de Ga2O3 garantiza una mayor confiabilidad y pérdidas de energía mínimas.

La epitaxia Ga2O3 destaca por su eficiencia energética superior. Con valores de Baliga cuatro veces superiores a los del GaN y diez veces superiores a los del SiC, presenta excelentes características de conducción. Los dispositivos de epitaxia Ga2O3 exhiben pérdidas de energía de apenas 1/7 de SiC y un impresionante 1/49 de los dispositivos basados en silicio.

La menor dureza de la epitaxia Ga2O3 simplifica el proceso de fabricación, lo que resulta en costos de procesamiento reducidos. Esta ventaja posiciona a la epitaxia de Ga2O3 como una solución rentable y escalable para una variedad de aplicaciones.