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Susceptor de barril recubierto de SiC

Susceptor de barril recubierto de SiC

Con su alto punto de fusión, resistencia a la oxidación y a la corrosión, el susceptor de barril recubierto de SiC Semicorex es la elección perfecta para su uso en aplicaciones de crecimiento de monocristales. Su recubrimiento de carburo de silicio proporciona propiedades excepcionales de planitud y distribución de calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y consistente incluso en los entornos de alta temperatura más exigentes.

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Descripción del Producto

El susceptor de barril recubierto de SiC de Semicorex es un producto de grafito de alta calidad recubierto con SiC de alta pureza, diseñado específicamente para procesos LPE y otras aplicaciones de fabricación de semiconductores. Su excepcional densidad y conductividad térmica proporcionan una distribución superior del calor y protección en ambientes corrosivos y de alta temperatura.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar susceptores de barril recubiertos de SiC rentables y de alta calidad, priorizamos la satisfacción del cliente y brindamos soluciones rentables. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo, ofreciéndole productos de alta calidad y un servicio al cliente excepcional.


Parámetros del susceptor de barril recubierto de SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del susceptor de barril recubierto de SiC

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.




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