Epitaxia de GaN

La epitaxia de nitruro de galio GaN es un material semiconductor de banda prohibida ancha con excelentes propiedades eléctricas y ópticas, lo que lo convierte en un candidato prometedor para diversos dispositivos electrónicos y optoelectrónicos.

La epitaxia de GaN ha revolucionado el desarrollo de dispositivos basados ​​en GaN, incluida la electrónica de alta potencia, la iluminación de estado sólido (LED) y los dispositivos de alta frecuencia. La capacidad de desarrollar capas epitaxiales de GaN de alta calidad con un control preciso sobre las propiedades del material ha mejorado significativamente el rendimiento, la eficiencia y la confiabilidad de los dispositivos de GaN, lo que ha contribuido a los avances en diversas industrias, como la electrónica de potencia, las telecomunicaciones y la electrónica de consumo.