Sic epi obleas

Las obleas Semicorex SIC EPI son las obleas con una capa de película de cristal único SiC cultivada en la superficie del sustrato por deposición química de vapor (CVD). Su tipo de dopaje, concentración de dopaje y grosor se pueden controlar con precisión de acuerdo con los requisitos de diseño del dispositivo. Es el componente central del área funcional del dispositivo.

Características clave de las obleas SIC EPI

El rendimiento de las obleas epitaxiales está determinado por las siguientes características:

Carácter de dopaje:

Las obleas EPI SIC logran las propiedades eléctricas requeridas controlando con precisión la concentración de dopaje (de tipo N o de tipo P), y la uniformidad de la concentración es un indicador clave.

Control de grosor:

Según los requisitos de diseño del dispositivo, el grosor de la capa epitaxial puede variar desde unos pocos micras hasta decenas de micras. Por ejemplo, los dispositivos de alto voltaje requieren capas epitaxiales más gruesas para admitir voltajes de descomposición más altos.

Calidad de la superficie:

La planitud de la superficie de la capa epitaxial afecta directamente la precisión de fabricación del dispositivo. La rugosidad de la superficie a nanoescala y la baja densidad de defectos son requisitos clave para las obleas epitaxiales.

Principal proceso de preparación de las obleas de SIC EPI

La producción de obleas epitaxiales se logra principalmente a través de la tecnología CVD. Los gases de fuente de carbono y fuente de silicio reaccionan a alta temperatura y se depositan en la superficie del sustrato para formar una capa epitaxial.

Influencia de los parámetros del proceso:

La temperatura, el flujo de gas, la atmósfera y otros factores afectan directamente el grosor, la uniformidad de dopaje y la calidad de la superficie de la capa epitaxial.

El papel central de las obleas de sic epi

Las obleas epitaxiales juegan un papel decisivo en los dispositivos SIC: como área activa: proporcione las propiedades eléctricas requeridas, como la formación de canales de corriente o las uniones PN. Determine device performance: such as key parameters such as breakdown voltage and on-resistance.

Aplicaciones en múltiples campos de Sic Epi Wafers

Nuevos vehículos de energía: un motor de doble impulso para resistencia y rendimiento

A medida que la industria automotriz global acelera su transformación a la electrificación, la optimización del rendimiento de los nuevos vehículos de energía se ha convertido en el foco de la competencia entre los principales fabricantes de automóviles. Las obleas SIC EPI juegan un papel indispensable en esto. En el componente central de los nuevos vehículos de energía: el sistema de accionamiento de motor, los dispositivos de alimentación basados ​​en las obleas epitaxiales de carburo de silicio brillan. Puede lograr acciones de cambio de frecuencia más altas, reducir significativamente las pérdidas de conmutación y mejorar en gran medida la eficiencia operativa del motor. Esto es como inyectar una fuerte fuente de potencia en el automóvil, que no solo aumenta efectivamente el rango de crucero del vehículo, sino que también permite que el vehículo funcione mejor en condiciones como la aceleración y la escalada. Por ejemplo, después de que algunos vehículos eléctricos de alta gama adoptan módulos de potencia de carburo de silicio, el rango de conducción se puede aumentar en un 10% - 15%, y el tiempo de carga puede acortarse en gran medida, lo que brinda una gran comodidad y una mejor experiencia de manejo a los usuarios. Al mismo tiempo, en términos de cargadores a bordo (OBC) y sistemas de conversión de potencia (DC-DC), la aplicación de obleas epitaxiales de carburo de silicio también hace que la carga sea más eficiente, menor en tamaño y más ligero, lo que ayuda a optimizar la estructura general del automóvil.

Power Electronics: la piedra angular de la construcción de una red eléctrica inteligente y eficiente

En el campo de la electrónica de potencia, las obleas SIC EPI están ayudando a la construcción de redes inteligentes a alcanzar nuevas alturas. Los dispositivos de potencia basados ​​en silicio tradicionales revelan gradualmente sus limitaciones frente a la creciente demanda de transmisión y conversión de energía. Las obleas epitaxiales de carburo de silicio, con sus excelentes características de alto voltaje, alta temperatura y alta potencia, proporcionan una solución ideal para la actualización de equipos de energía. En el enlace de transmisión de energía, los dispositivos de potencia de carburo de silicio pueden transmitir energía eléctrica a largas distancias con mayor eficiencia, reduciendo la pérdida de energía durante el proceso de transmisión, al igual que allanando una "carretera" sin obstáculos para la energía eléctrica, mejorando en gran medida la capacidad de transmisión de energía y la estabilidad de la cuadrícula de energía. En términos de conversión y distribución de potencia, el uso de obleas epitaxiales de carburo de silicio en transformadores electrónicos de potencia, dispositivos de compensación reactiva y otros equipos en subestaciones puede controlar con mayor precisión los parámetros de potencia, realizar una regulación inteligente de la vida inteligente de la producción inteligente de la vida y la producción industrial.