Si epitaxia

La epitaxia de Si permite la ingeniería de propiedades de capas específicas, como el espesor, la concentración de dopaje y la composición. Al introducir cantidades controladas de impurezas, conocidas como dopantes, en la capa epitaxial, las características eléctricas de los dispositivos resultantes se pueden adaptar con precisión. Esto permite la creación de diferentes regiones con distintos tipos de conductividad (tipo n o tipo p) y concentraciones de portador deseadas, lo que permite la integración de circuitos electrónicos complejos.

La epitaxia del Si es un proceso fundamental en la fabricación de dispositivos semiconductores avanzados, incluidos microprocesadores, chips de memoria, sensores de imagen y células solares. Desempeña un papel vital en la mejora del rendimiento, la miniaturización y la funcionalidad del dispositivo. La capacidad de depositar capas epitaxiales de alta calidad con un control preciso sobre las propiedades del material contribuye al progreso y la innovación continuos en la industria de los semiconductores.