Epitaxia de SiC

Semicorex proporciona epitaxia de SiC de película delgada (carburo de silicio) personalizada sobre sustratos para el desarrollo de dispositivos de carburo de silicio.

La epitaxia de SiC se puede adaptar para cumplir con los requisitos específicos del dispositivo incorporando dopantes o cultivando diferentes orientaciones de cristales. Dopar la capa epitaxial con impurezas como nitrógeno o aluminio permite modificar propiedades eléctricas, como controlar la concentración de portadores o crear uniones p-n.

La calidad de la capa epitaxial de SiC se evalúa mediante diversas técnicas de caracterización, incluida la difracción de rayos X, la microscopía electrónica de barrido, la microscopía de fuerza atómica y las mediciones eléctricas. Estas técnicas ayudan a evaluar la estructura cristalina, la morfología de la superficie y el rendimiento eléctrico de la capa epitaxial.

Semicorex puede ofrecer: oblea epitaxial de SiC, oblea epitaxial de GaN, epitaxia de Si, oblea de SiC, etc.