El impacto de la temperatura en los recubrimientos CVD-SiC

La deposición química de vapor (CVD) es una técnica versátil para producir recubrimientos de alta calidad con diversas aplicaciones en industrias como la aeroespacial, la electrónica y la ciencia de materiales. Los recubrimientos CVD-SiC son conocidos por sus propiedades excepcionales, incluida la resistencia a altas temperaturas, resistencia mecánica y excelente resistencia a la corrosión. El proceso de crecimiento de CVD-SiC es muy complejo y sensible a varios parámetros, siendo la temperatura un factor crítico. En este artículo, exploraremos los efectos de la temperatura en los recubrimientos CVD-SiC y la importancia de seleccionar la temperatura de deposición óptima.

El proceso de crecimiento de CVD-SiC es relativamente complejo y se puede resumir de la siguiente manera: a altas temperaturas, el MTS se descompone térmicamente para formar pequeñas moléculas de carbono y silicio, las principales moléculas fuente de carbono son CH3, C2H2 y C2H4, y las principales moléculas fuente de silicio son SiCl2 y SiCl3, etc.; Estas pequeñas moléculas de carbono y silicio luego son transportadas por gases portadores y de dilución a las proximidades de la superficie del sustrato de grafito, y luego se adsorben en forma de estado de adsorbato. Estas pequeñas moléculas serán transportadas a la superficie del sustrato de grafito por el gas portador y el gas de dilución, y luego estas pequeñas moléculas serán adsorbidas en la superficie del sustrato en forma de estado de adsorción, y luego las pequeñas moléculas reaccionarán entre sí. otro para formar pequeñas gotas y crecer, y las gotas también se fusionarán entre sí, y la reacción va acompañada de la formación de subproductos intermedios (gas HCl); debido a la alta temperatura de la superficie del sustrato de grafito, los gases intermedios se desalojarán de la superficie del sustrato y luego el C y el Si residuales pasarán a un estado sólido. Finalmente, el C y el Si que quedan en la superficie del sustrato formarán un SiC en fase sólida para formar un recubrimiento de SiC.

la temperatura enRecubrimiento CVD-SiCLos procesos son un parámetro crítico que afecta la tasa de crecimiento, la cristalinidad, la homogeneidad, la formación de subproductos, la compatibilidad del sustrato y los costos de energía. La elección de una temperatura óptima, en este caso, 1100°C, representa un compromiso entre estos factores para lograr la calidad y las propiedades del recubrimiento deseadas.