Portador de oblea de epitaxia

Aplicaicaciones:El Epitaxy Wafer Carrier, desarrollado por Semicorex, está diseñado específicamente para su uso en diversos procesos avanzados de fabricación de semiconductores. Estos transportadores son muy adecuados para entornos como:

Deposición química de vapor mejorada con plasma (PECVD):En los procesos de PECVD, el Epitaxy Wafer Carrier es esencial para manipular los sustratos durante el proceso de deposición de película delgada, lo que garantiza una calidad y uniformidad constantes.

Epitaxia de Silicio y SiC:Para aplicaciones de epitaxia de silicio y SiC, donde se depositan capas delgadas sobre sustratos para formar estructuras cristalinas de alta calidad, Epitaxy Wafer Carrier mantiene la estabilidad en condiciones térmicas extremas.

Unidades de deposición química de vapor metal-orgánico (MOCVD):Utilizadas para fabricar dispositivos semiconductores compuestos como LED y electrónica de potencia, las unidades MOCVD requieren portadores que puedan soportar las altas temperaturas y los entornos químicos agresivos inherentes al proceso.

Ventajas:

Rendimiento estable y uniforme a altas temperaturas:

La combinación de revestimiento de grafito isotrópico y carburo de silicio (SiC) proporciona una estabilidad térmica y uniformidad excepcionales a altas temperaturas. El grafito isotrópico ofrece propiedades consistentes en todas las direcciones, lo cual es crucial para garantizar un rendimiento confiable en el Epitaxy Wafer Carrier utilizado bajo tensión térmica. El recubrimiento de SiC contribuye a mantener una distribución térmica uniforme, evitando puntos calientes y garantizando que el portador funcione de manera confiable durante períodos prolongados.

Resistencia a la corrosión mejorada y vida útil prolongada de los componentes:

El recubrimiento de SiC con su estructura cristalina cúbica da como resultado una capa de recubrimiento de alta densidad. Esta estructura mejora significativamente la resistencia del Epitaxy Wafer Carrier a los gases corrosivos y a los productos químicos que normalmente se encuentran en los procesos PECVD, epitaxia y MOCVD. El denso revestimiento de SiC protege el sustrato de grafito subyacente de la degradación, prolongando así la vida útil del soporte y reduciendo la frecuencia de los reemplazos.

Espesor y cobertura óptimos del revestimiento:

Semicorex utiliza una tecnología de recubrimiento que garantiza un espesor de recubrimiento de SiC estándar de 80 a 100 µm. Este espesor es óptimo para conseguir un equilibrio entre protección mecánica y conductividad térmica. La tecnología garantiza que todas las áreas expuestas, incluidas aquellas con geometrías complejas, estén recubiertas uniformemente, manteniendo una capa protectora densa y continua incluso en elementos pequeños e intrincados.

Adhesión superior y protección contra la corrosión:

Al infiltrarse en la capa superior de grafito con un recubrimiento de SiC, Epitaxy Wafer Carrier logra una adhesión excepcional entre el sustrato y el recubrimiento. Este método no sólo garantiza que el revestimiento permanezca intacto bajo tensión mecánica sino que también mejora la protección contra la corrosión. La capa de SiC estrechamente unida actúa como una barrera, evitando que los gases reactivos y los productos químicos lleguen al núcleo de grafito, manteniendo así la integridad estructural del soporte durante una exposición prolongada a condiciones de procesamiento duras.

Capacidad para recubrir geometrías complejas:

La avanzada tecnología de recubrimiento empleada por Semicorex permite la aplicación uniforme del recubrimiento de SiC en geometrías complejas, como pequeños orificios ciegos con diámetros tan pequeños como 1 mm y profundidades superiores a 5 mm. Esta capacidad es fundamental para garantizar la protección integral del Epitaxy Wafer Carrier, incluso en áreas que tradicionalmente son difíciles de recubrir, evitando así la corrosión y degradación localizadas.

Interfaz de recubrimiento de SiC bien definida y de alta pureza:

Para procesar obleas hechas de silicio, zafiro, carburo de silicio (SiC), nitruro de galio (GaN) y otros materiales, la alta pureza de la interfaz del recubrimiento de SiC es una ventaja clave. Este recubrimiento de alta pureza del Epitaxy Wafer Carrier previene la contaminación y mantiene la integridad de las obleas durante el procesamiento a alta temperatura. La interfaz bien definida garantiza que se maximice la conductividad térmica, lo que permite una transferencia de calor eficiente a través del recubrimiento sin barreras térmicas importantes.

Función como barrera de difusión:

El recubrimiento de SiC del Epitaxy Wafer Carrier también sirve como una barrera eficaz contra la difusión. Previene la absorción y desorción de impurezas del material de grafito subyacente, manteniendo así un entorno de procesamiento limpio. Esto es especialmente importante en la fabricación de semiconductores, donde incluso niveles mínimos de impurezas pueden afectar significativamente las características eléctricas del producto final.