Susceptor epitaxial LED UV profundo

Semicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio en China. Hemos sido fabricantes y proveedores de susceptor epitaxial LED UV profundo durante muchos años. Nuestros productos tienen una buena ventaja de precio y cubren la mayor parte de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Los susceptores epitaxiales de LED UV profundo son esenciales para la fabricación de LED. La placa recubierta de carburo de silicio (SiC) de Semicorex hace que la fabricación de obleas LED UV profundas de alta calidad sea más eficiente. El revestimiento SiC es un revestimiento de carburo de silicio (SiC) denso y resistente al desgaste. Tiene propiedades de alta resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica. Aplicamos SiC en capas finas sobre el grafito mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD).
Independientemente de cuáles sean sus requisitos específicos, identificaremos la mejor solución para la epitaxia MOCVD, así como para las industrias de semiconductores y LED.
Nuestro susceptor epitaxial LED UV profundo está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, lo que garantiza la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a evitar cualquier contaminación o difusión de impurezas, lo que garantiza un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro susceptor epitaxial LED UV profundo.

Parámetros del susceptor epitaxial LED UV profundo

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase Î² de la FCC
Densidad	g/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	Î¼m	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J·kg-1 ·K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curva de 4 puntos, 1300â)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor epitaxial LED UV profundo

- Menor desviación de longitud de onda y mayor rendimiento de chips
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Las tolerancias dimensionales más estrictas conducen a un mayor rendimiento del producto y menores costos
- Evite despegarse y asegure el recubrimiento en toda la superficie
Resistencia a la oxidación a alta temperatura: Estable a altas temperaturas hasta 1600°C
Alta pureza: fabricado por deposición de vapor químico CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos.