Susceptor epitaxial LED de luz ultravioleta profunda

Semicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio en China. Hemos sido fabricantes y proveedores de susceptores epitaxiales LED de luz ultravioleta profunda durante muchos años. Nuestros productos tienen una buena ventaja de precio y cubren la mayoría de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

Los susceptores epitaxiales LED de luz ultravioleta profunda son esenciales para la fabricación de LED. La placa recubierta de carburo de silicio (SiC) Semicorex hace que la fabricación de obleas LED UV profundas de alta calidad sea más eficiente. El revestimiento de SiC es un revestimiento de carburo de silicio (SiC) denso y resistente al desgaste. Tiene altas propiedades de resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica. Aplicamos SiC en capas finas sobre el grafito mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD).
No matter what your specific requirements might be, we will identify the best solution for MOCVD epitaxy as well as the semiconductor and LED industries.
Nuestro susceptor epitaxial LED de luz ultravioleta profunda está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro susceptor epitaxial LED de luz ultravioleta profunda.

Parámetros del susceptor epitaxial LED de luz ultravioleta profunda

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características del susceptor epitaxial LED de luz ultravioleta profunda

- Menor desviación de longitud de onda y mayor rendimiento de chip
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Tolerancias dimensionales más estrictas conducen a un mayor rendimiento del producto y menores costos.
- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.

Etiquetas calientes: Susceptor epitaxial LED de luz ultravioleta profunda, China, fabricantes, proveedores, fábrica, personalizado, a granel, avanzado, duradero

Etiqueta del producto

Categoría relacionada