Media luna superior

La mitad de la mitad semicorex es un portador de obleas semicircular meticulosamente diseñado para equipos de procesamiento epitaxial. Como componente de susceptores críticos en el proceso de crecimiento epitaxial, esta parte está diseñada para apoyar y estabilizar las obleas de silicio durante la deposición de vapor químico de alta temperatura (CVD). Fabricado a partir de grafito de alta pureza y protegido con un recubrimiento uniforme de carburo de silicio (SIC), la media luna superior combina robustez mecánica, excelente conductividad térmica y resistencia a la corrosión excepcional para satisfacer las demandas de epitaxia de alta precisión.

Este producto deriva su nombre de su distinta geometría de media luna, que está diseñada especialmente para plataformas de rotación específicas en reactores epitaxiales de múltiples obras o múltiples. Su forma única no solo facilita el flujo de gas uniforme y la distribución térmica, sino que también permite una fácil integración en los conjuntos de calefacción y rotación existentes. El diseño semicircular garantiza una posición de oblea óptima, minimiza el estrés térmico y juega un papel clave en el logro de un grosor de película epitaxial uniforme en toda la superficie de la oblea.

El producto de la media luna superior incluye un sustrato de grafito ultra fino debido a los beneficios de rendimiento combinados de una estructura ultra fina estable a temperaturas extremadamente altas junto con resistencia a la falla sobre las corridas repetidas. Para extender el uso, se aplicó un recubrimiento SIC denso de alta pureza mediante tecnología de deposición de vapor químico, aislando el sustrato de grafito de HCl, Cl₂, silano y otros gases de proceso corrosivo. De todos modos, el recubrimiento SIC promueve una vida más duradera y más extensible tanto al producto de la mitad de la luna superior como a las partes en su totalidad, al tiempo que disminuye la contaminación del entorno de la oblea, beneficiando en última instancia el rendimiento del proceso y la calidad de la película.

El acabado superficial de la capa SIC se ha especificado y es plano o liso para promover la transferencia de calor constante a un sustrato y una formación de película constante. Además, el recubrimiento SIC mejora la resistencia de los componentes a la generación de partículas, que es un factor clave de aplicaciones semiconductores sensibles a los defectos. Los parámetros de rendimiento que incluyen una desgasificación muy baja y una deformación muy baja por encima de 1200 ° C proporcionan componentes efectivos para ciclos de operación muy largos, disminuyendo el tiempo de inactividad del sistema y los costos de mantenimiento.

La media luna semicorex es insuperable con respecto a las tolerancias, la uniformidad de recubrimiento y la selección de material. Mantenemos un control de calidad estricto en cada paso, desde el mecanizado de grafito, hasta la deposición de recubrimientos SIC e inspección final, asegurando que cada unidad cumpla con los rigurosos estándares requeridos de los equipos de grado semiconductor. Además, nuestra experiencia en la personalización de geometrías, espesores y tratamientos superficiales se reconoce que se aplicarán a casi todas las formas de plataformas de epitaxia.

La media luna superior es críticamente importante para la estabilidad de la oblea, la uniformidad térmica y el control de contaminación para la epitaxia semiconductora de silicio o compuesto. En consecuencia, el semicorex aprovecha la experiencia incomparable, la tecnología de materiales y la consistencia de fabricación para lograr las expectativas del cliente de componentes confiables de susceptores de alto rendimiento.