8. PLOGADOR DE EPI DE PULMA

El susceptor EPI semicorex de 8 pulgadas es una parte de soporte de obleas de alta tecnología que se utiliza en operaciones de deposición epitaxial para la fabricación de semiconductores. Se fabrica con material de núcleo de grafito suficientemente puro recubierto con una capa uniforme espesa y continua de carburo de silicio (SIC) utilizado en reactores epitaxiales donde la estabilidad térmica, la resistencia química y la uniformidad de la deposición es importante. El diámetro de 8 pulgadas está estandarizado a las especificaciones de la industria para equipos que procesa obleas de 200 mm y, por lo tanto, proporciona una integración confiable en la multitarea de fabricación existente.  

El crecimiento epitaxial requiere un entorno térmico altamente controlado e interacciones materiales relativamente inerte. En ambos casos, el grafito recubierto de SIC se realizará positivamente. El núcleo de grafito tiene una conductividad térmica muy alta y una expansión térmica muy baja, lo que significa con una fuente de calentamiento suficientemente diseñada para que el calor del núcleo de grafito se pueda transferir rápidamente y mantener gradientes de temperatura consistentes en la superficie de la oblea. La capa externa de SIC está en efecto la cubierta externa del susceptor. La capa SIC protege el núcleo de susceptores de las altas temperaturas, los subproductos corrosivos del gas de proceso, como el hidrógeno, las propiedades altamente corrosivas del silano clorado y la destrucción mecánica debido a la naturaleza acumulativa del desgaste mecánico causado por los ciclos de calentamiento repetidos. En general, podemos predecir razonablemente que mientras esta estructura de doble material sea lo suficientemente gruesa, el susceptor seguirá siendo mecánicamente sano y químicamente inerte en períodos de calentamiento prolongado. Conclusivamente, hemos observado empíricamente esto cuando operamos dentro de los rangos térmicos relevantes, y la capa SIC proporciona una barrera confiable entre el proceso y el núcleo de gráficos, maximizando las oportunidades para la calidad del producto al tiempo que maximiza la longitud del servicio de las herramientas.

Los componentes de grafito tienen una parte esencial e increíblemente importante en los procesos de fabricación de semiconductores, y la calidad del material de grafito es un factor significativo en el rendimiento del producto. En Semicorex tenemos un control estricto en cada paso de nuestro proceso de producción para que podamos tener homogeneidad y consistencia de material altamente reproducible de lotes a lotes. Con nuestro pequeño proceso de producción de lotes, tenemos pequeños hornos de carbonización con un volumen de cámara de solo 50 metros cúbicos, lo que nos permite mantener controles más estrictos en el proceso de producción. Cada bloque de grafito se somete a un monitoreo individual, rastreable durante todo nuestro proceso. Además del monitoreo de temperatura de múltiples puntos dentro del horno, rastreamos la temperatura en la superficie del material, minimizando las desviaciones de temperatura a un rango muy estrecho durante todo el proceso de producción. Nuestra atención al manejo térmico nos permite minimizar el estrés interno y producir componentes de grafito altamente estables y reproducibles para aplicaciones de semiconductores.

El recubrimiento SIC se aplica mediante deposición química de vapor (CVD) y produce una superficie de acabado sólido y limpio con una matriz de grano fino que reduce la generación de partículas; y por lo tanto, el proceso de CVD limpio se mejora. El control del proceso CVD del grosor de la película recubierto asegura la uniformidad y es importante para la planitud y la estabilidad dimensional a través del ciclo térmico. En última instancia, esto proporciona una excelente planaridad de obleas, lo que resulta en la deposición de capa más uniforme durante el proceso de epitaxia. Un parámetro clave para lograr dispositivos semiconductores de alto rendimiento, como MOSFET de potencia, IGBT y componentes de RF.

La consistencia dimensional es otra ventaja fundamental del susceptor EPI de 8 pulgadas fabricado por semicorex. El susceptor está diseñado para tolerancias estrictas, lo que resulta en una gran compatibilidad con los robots de manejo de obleas y un ajuste de precisión en las zonas de calefacción. La superficie del susceptor está pulida y personalizada a las condiciones térmicas y de flujo particulares del reactor epitaxial específico en el que se desplegará el susceptor. Las opciones, por ejemplo, los orificios de los pasadores de elevación, los recursos de bolsillo o las superficies contra el deslizamiento se pueden combinar con los requisitos específicos de los diseños y procesos de herramientas OEM.

Cada susceptor se somete a múltiples pruebas tanto para el rendimiento térmico como para la integridad del recubrimiento durante la producción. Métodos de control de calidad, incluida la medición y verificación dimensionales, las pruebas de adhesión de recubrimiento, las pruebas de resistencia al choque térmico y las pruebas de resistencia química se aplican para garantizar que la confiabilidad y el rendimiento se logren incluso en entornos epitaxiales agresivos. El resultado es un producto que finalmente cumple y excede los requisitos actuales exigentes de la industria de fabricación de semiconductores.

El susceptor EPI semicorex de 8 pulgadas está hecho de grafito recubierto de SiC que equilibra la conductividad térmica, la rigidez mecánica y la inercia química. El susceptor de 8 pulgadas es un componente clave para las aplicaciones de crecimiento de epitaxia de alto volumen debido a su éxito en la producción de soporte estable, limpio y de obleas a altas temperaturas que resultan en procesos epitaxiales definidos por alto en uniformidad de alto rendimiento. El tamaño de 8 pulgadas del susceptor EPI se ve más comúnmente en equipos estándar de 8 pulgadas en el mercado y es intercambiable con los equipos de clientes existentes. En su configuración estándar, el susceptor EPI es altamente personalizable.