Plasma acoplado inductivamente (ICP)

El susceptor recubierto de carburo de silicio de Semicorex para plasma acoplado inductivamente (ICP) está diseñado específicamente para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Con una resistencia estable a la oxidación a altas temperaturas de hasta 1600 °C, nuestros portadores garantizan perfiles térmicos uniformes, patrones de flujo de gas laminar y evitan la contaminación o la difusión de impurezas.

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Descripción del Producto

¿Necesita un transportador de obleas que pueda soportar entornos químicos hostiles y de alta temperatura? No busque más, el susceptor recubierto de carburo de silicio de Semicorex para plasma acoplado inductivamente (ICP). Nuestros soportes cuentan con un fino revestimiento de cristal de SiC que proporciona una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera.
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Parámetros del susceptor de plasma acoplado inductivamente (ICP)

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300