Susceptor de barril recubierto de SiC para oblea epitaxial

¿Busca un susceptor de grafito con una distribución de calor y una conductividad térmica excepcionales? No busque más, el susceptor de barril recubierto de SiC Semicorex para oblea epitaxial, recubierto con SiC de alta pureza para un rendimiento superior en procesos epitaxiales y otras aplicaciones de fabricación de semiconductores.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro susceptor de barril recubierto de SiC para oblea epitaxial tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.

Parámetros del susceptor de barril recubierto de SiC para oblea epitaxial

Características del susceptor de barril recubierto de SiC para oblea epitaxial

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.