Con su excelente densidad y conductividad térmica, el susceptor de barril recubierto de SiC duradero Semicorex es la opción ideal para su uso en procesos epitaxiales y otras aplicaciones de fabricación de semiconductores. Su recubrimiento de SiC de alta pureza proporciona propiedades superiores de protección y distribución del calor, lo que lo convierte en la opción ideal para obtener resultados confiables y consistentes.
Si necesita un susceptor de grafito de alta calidad con resistencia superior al calor y a la corrosión, no busque más que el susceptor de barril duradero con revestimiento de SiC de Semicorex. Su recubrimiento de carburo de silicio proporciona una conductividad térmica y distribución del calor excepcionales, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante incluso en los entornos de alta temperatura más exigentes.
Nuestro duradero susceptor de barril recubierto de SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
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Parámetros del susceptor de barril duradero recubierto de SiC
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
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Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
|
Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
Pureza química |
% |
99.99995 |
Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características del susceptor de barril duradero con revestimiento de SiC
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.
- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.