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Susceptor de barril duradero con revestimiento de SiC

Susceptor de barril duradero con revestimiento de SiC

Con su excelente densidad y conductividad térmica, el susceptor de barril recubierto de SiC duradero Semicorex es la opción ideal para su uso en procesos epitaxiales y otras aplicaciones de fabricación de semiconductores. Su recubrimiento de SiC de alta pureza proporciona propiedades superiores de protección y distribución del calor, lo que lo convierte en la opción ideal para obtener resultados confiables y consistentes.

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Descripción del Producto

Si necesita un susceptor de grafito de alta calidad con resistencia superior al calor y a la corrosión, no busque más que el susceptor de barril duradero con revestimiento de SiC de Semicorex. Su recubrimiento de carburo de silicio proporciona una conductividad térmica y distribución del calor excepcionales, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante incluso en los entornos de alta temperatura más exigentes.
Nuestro duradero susceptor de barril recubierto de SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro duradero susceptor de barril recubierto de SiC.


Parámetros del susceptor de barril duradero recubierto de SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del susceptor de barril duradero con revestimiento de SiC

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.




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