Soporte de pedestal con revestimiento de TaC

El soporte de pedestal con revestimiento Semicorex TaC tiene un papel clave en el soporte mecánico, pero también en el control del flujo del proceso. Está ubicado debajo del susceptor principal o portador de oblea cuando se usa en el reactor. Bloquea el conjunto giratorio en su posición, mantiene el equilibrio térmico en el pedestal y gestiona un flujo de gas saludable debajo de la zona de la oblea. El soporte de pedestal con revestimiento de TaC está fabricado para ambas funciones, incluida una base de grafito de fabricación constructiva que está recubierta con una capa uniformemente densa de carburo de tantalio (TaC) mediante deposición química de vapor (CVD).

El carburo de tantalio es uno de los materiales más refractarios y químicamente inertes disponibles, con un punto de fusión superior a 3800 °C y una gran resistencia a la corrosión y la erosión. Cuando se emplea CVD para producirRecubrimientos de TaC, el resultado final es un recubrimiento suave y denso que protege el sustrato de grafito de la oxidación a alta temperatura, la corrosión por amoníaco y la reacción de precursores organometálicos. Bajo una exposición prolongada a gases corrosivos o ciclos térmicos extremos asociados con procesos epitaxiales, el soporte del pedestal perdura y mantiene la estabilidad estructural y química.

Al realizar múltiples funciones críticas, el recubrimiento CVD TaC actúa como una barrera protectora, evitando que cualquier posible contaminación por carbono del recubrimiento de grafito y el sustrato ingrese al entorno del reactor o impacte la oblea. En segundo lugar, proporciona inercia química, manteniendo una superficie limpia y estable tanto en atmósferas oxidantes como reductoras. Esto evita reacciones no deseadas entre los gases del proceso y el hardware del reactor, asegurando que la química de la fase gaseosa permanezca controlada y que se preserve la uniformidad de la película.

Cabe señalar igualmente la importancia del soporte del pedestal en el control del flujo de gas. Un aspecto clave en el proceso de deposición epitaxial es garantizar la uniformidad de los gases del proceso que fluyen sobre toda la superficie de la oblea para lograr un crecimiento constante de la capa. El soporte de pedestal con revestimiento TaC está mecanizado con precisión para controlar los canales y las geometrías del flujo de gas, lo que ayudará a dirigir los gases de proceso de manera suave y uniforme hacia la zona de reacción. Al controlar el flujo laminar, se minimiza la turbulencia, se eliminan las zonas muertas y se produce un entorno de gas más estable. Todo esto contribuye a una uniformidad superior del espesor de la película y una mejor calidad epitaxial.

Elrevestimiento de TaCProporciona alta conductividad y emisividad térmica, lo que también permite que el soporte del pedestal conduzca e irradie calor de manera eficiente. Esto también conducirá a una mejor uniformidad general de la temperatura en el susceptor y la oblea con gradientes de temperatura más bajos que producirán menos variación en el crecimiento de los cristales. Además, TaC ofrece una resistencia a la oxidación excepcional, lo que garantizará que la emisividad se mantenga constante durante operaciones a largo plazo, lo que garantiza una calibración de temperatura precisa y un rendimiento del proceso repetible.

El soporte de pedestal con revestimiento TaC tiene una alta durabilidad mecánica, lo que prolonga su vida útil. El proceso de recubrimiento CVD, específicamente, crea un enlace molecular sólido entre la capa de TaC y el sustrato de grafito para evitar la deslaminación, el agrietamiento o el pelado debido al estrés térmico. Por tanto, es un componente que se beneficia de cientos de ciclos de alta temperatura sin degradación.