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Sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE)

Sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE)

El sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE) Semicorex es un producto innovador que ofrece un rendimiento térmico excelente, un perfil térmico uniforme y una adhesión de recubrimiento superior. Su alta pureza, resistencia a la oxidación a altas temperaturas y a la corrosión lo convierten en una opción ideal para su uso en la industria de semiconductores. Sus opciones de personalización y su rentabilidad lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.

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Descripción del Producto

Nuestro sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE) es un producto altamente confiable y duradero que ofrece una excelente relación calidad-precio. Su resistencia a la oxidación a alta temperatura, su perfil térmico uniforme y su prevención de la contaminación lo hacen ideal para el crecimiento de la capa epitaxial de alta calidad. Sus bajos requisitos de mantenimiento y su capacidad de personalización lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.

En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE) tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.

Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE).


Parámetros del sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE)

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE)

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.




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