El sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE) Semicorex es un producto innovador que ofrece un rendimiento térmico excelente, un perfil térmico uniforme y una adhesión de recubrimiento superior. Su alta pureza, resistencia a la oxidación a altas temperaturas y a la corrosión lo convierten en una opción ideal para su uso en la industria de semiconductores. Sus opciones de personalización y su rentabilidad lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.
Nuestro sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE) es un producto altamente confiable y duradero que ofrece una excelente relación calidad-precio. Su resistencia a la oxidación a alta temperatura, su perfil térmico uniforme y su prevención de la contaminación lo hacen ideal para el crecimiento de la capa epitaxial de alta calidad. Sus bajos requisitos de mantenimiento y su capacidad de personalización lo convierten en un producto altamente competitivo en el mercado.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar productos rentables y de alta calidad a nuestros clientes. Nuestro sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE) tiene una ventaja de precio y se exporta a muchos mercados europeos y americanos. Nuestro objetivo es ser su socio a largo plazo, brindando productos de calidad constante y un servicio al cliente excepcional.
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Parámetros del sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE)
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
||
Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
|
Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
Pureza química |
% |
99.99995 |
Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características del sistema de reactor de epitaxia en fase líquida (LPE)
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.
- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.