Portador de epitaxia GaN

El Semicorex GaN Epitaxy Carrier es fundamental en la fabricación de semiconductores, ya que integra materiales avanzados e ingeniería de precisión. Distinguido por su recubrimiento CVD SiC, este portador ofrece durabilidad, eficiencia térmica y capacidades de protección excepcionales, estableciéndose como un destacado en la industria. En Semicorex nos dedicamos a fabricar y suministrar portadores de epitaxia GaN de alto rendimiento que fusionan calidad con rentabilidad.

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Descripción del Producto

El portador de epitaxia GaN Semicorex se destaca en el transporte seguro de obleas dentro del horno y está diseñado para procesos epitaxiales de obleas. El portador de epitaxia de GaN es crucial para lograr películas delgadas y capas epitaxiales reproducibles y de alta calidad necesarias para producir dispositivos electrónicos y optoelectrónicos avanzados.

El sustrato de grafito del portador de epitaxia de GaN está mejorado con un recubrimiento de carburo de silicio (SiC) de deposición química de vapor (CVD) de última generación. Esta capa de SiC se aplica meticulosamente mediante deposición química de vapor, lo que proporciona una protección sólida contra reacciones químicas y el desgaste durante el proceso de epitaxia. Además, el recubrimiento de SiC del portador de epitaxia de GaN mejora las propiedades térmicas del portador, lo que facilita un calentamiento eficiente y uniforme de las obleas. Este calentamiento uniforme es vital para producir capas epitaxiales consistentes y de alta calidad en obleas semiconductoras.

Personalizable para adaptarse a una variedad de tamaños de obleas semiconductoras, el Semicorex GaN Epitaxy Carrier es una solución versátil para diversas necesidades de producción. Ya sea que se requieran tamaños, formas o espesores de recubrimiento específicos, nuestro equipo colabora con los clientes para desarrollar una solución que cumpla con sus especificaciones precisas y optimice el rendimiento para sus aplicaciones únicas.