Sistema de grabado por plasma ICP

El portador recubierto de SiC de Semicorex para el sistema de grabado por plasma ICP es una solución confiable y rentable para procesos de manipulación de obleas a alta temperatura, como epitaxia y MOCVD. Nuestros soportes cuentan con un fino revestimiento de cristal de SiC que proporciona una resistencia al calor superior, uniformidad térmica uniforme y resistencia química duradera.

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Descripción del Producto

Logre procesos de epitaxia y MOCVD de la más alta calidad con el soporte recubierto de SiC de Semicorex para el sistema de grabado por plasma ICP. Nuestro producto está diseñado específicamente para estos procesos y ofrece una resistencia superior al calor y la corrosión. Nuestro fino revestimiento de cristal de SiC proporciona una superficie limpia y lisa, lo que permite un manejo óptimo de las obleas.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro soporte recubierto de SiC para el sistema de grabado por plasma ICP.

Parámetros del soporte recubierto de SiC para el sistema de grabado por plasma ICP

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	µm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300