Efector final de SiC

Semicorex es un fabricante y proveedor a gran escala de susceptor de grafito recubierto de carburo de silicio en China. Nos centramos en industrias de semiconductores como las capas de carburo de silicio y los semiconductores epitaxia. Nuestro efector final de SiC tiene una buena ventaja de precio y cubre muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

El efector final Semicorex SiC está fabricado con grafito con revestimiento de carburo de silicio (SiC), el revestimiento se aplica mediante un método CVD a grados específicos de grafito de alta densidad, por lo que puede funcionar en hornos de alta temperatura con más de 3000 °C en una atmósfera inerte. 2200°C al vacío.

Nuestro efector final de SiC está diseñado para lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar, asegurando la uniformidad del perfil térmico. Esto ayuda a prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas, asegurando un crecimiento epitaxial de alta calidad en el chip de la oblea.

Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro efector final de SiC.

Parámetros del efector final de SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	μm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300