Tac recubrimiento de media luna

La cerámica TAC tiene un punto de fusión de hasta 3880 ° C, alta dureza (dureza de Mohs 9-10), conductividad térmica grande (22W · M-1 · K-1), una gran resistencia a la flexión (340-400MPA) y un pequeño coeficiente de expansión térmica (6.6 × 10-6K-1). También exhiben una excelente estabilidad termoquímica y excelentes propiedades físicas, y tienen una buena compatibilidad química y mecánica con los compuestos de grafito y C/C. Por lo tanto, los recubrimientos TAC se usan ampliamente en la protección térmica aeroespacial, el crecimiento de un solo cristal, la electrónica de energía y los dispositivos médicos.

El grafito recubierto de TAC tiene una mejor resistencia a la corrosión química que el grafito desnudo o el grafito recubierto de SIC, se puede usar de manera estable a altas temperaturas de 2600 ° y no reacciona con muchos elementos metálicos. Es el mejor recubrimiento en el crecimiento de un solo cristal de semiconductores de tercera generación y escenarios de grabado de obleas, y puede mejorar significativamente el control de la temperatura e impurezas en el proceso, y preparar obleas de carburo de silicio de alta calidad y obleas epitaxiales relacionadas. Es especialmente adecuado para el cultivo de cristales individuales de GaN o ALN con equipos MOCVD y craneos simples de SIC con equipos PVT. La calidad de los cristales individuales cultivados mejora significativamente.

Este producto es una solución ideal para los fabricantes que priorizan la precisión, la eficiencia y la durabilidad en sus procesos de epitaxia. Trust Semicorex para soluciones de alto rendimiento diseñadas para satisfacer las necesidades evolutivas de la industria de semiconductores.