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Titular de la oblea de recubrimiento CVD
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Titular de la oblea de recubrimiento CVD

El titular de la oblea de recubrimiento CVD semicorex es un componente de alto rendimiento con un recubrimiento de carburo tantálico, diseñado para precisión y durabilidad en los procesos de epitaxia de semiconductores. Elija Semicorex para soluciones confiables y avanzadas que mejoren su eficiencia de producción y garanticen una calidad superior en cada aplicación.*

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Descripción del Producto

El titular de la oblea de recubrimiento de CVD semicorex es una parte de alto rendimiento, diseñada para soportar las obleas durante el crecimiento preciso de los materiales semiconductores utilizando procesos de epitaxia. Está recubierto con carburo tantalum (TAC), lo que contribuye a su excepcional durabilidad y confiabilidad en condiciones exigentes.


Características clave:


Revestimiento de carburo tantalum: El recubrimiento del soporte de la oblea con el carburo tantalum (TAC) se debe a su dureza, resistencia al desgaste y estabilidad térmica. Este recubrimiento contribuye significativamente a la capacidad del producto para resistir los entornos químicos duros, así como las altas temperaturas y encuentra la aplicación en el soporte exactamente lo que se requiere de la fabricación de semiconductores.


Tecnología de recubrimiento supercrítico: el recubrimiento se aplica utilizando un método de deposición de fluido supercrítico que garantiza la capa uniforme y densa de TAC. La tecnología de recubrimiento avanzada proporciona una mejor adhesión y reducción de defectos, ofreciendo un recubrimiento de alta calidad y duradero con longevidad segura.


Espesor de recubrimiento: el recubrimiento TAC puede alcanzar un grosor de hasta 120 micras, proporcionando un equilibrio ideal de durabilidad y precisión. Este grosor asegura que el soporte de la oblea pueda soportar altas temperaturas, presiones y ambientes reactivos sin comprometer su integridad estructural.


Excelente estabilidad térmica: el recubrimiento de carburo Tantalum ofrece una estabilidad térmica sobresaliente, lo que permite que el soporte de la oblea funcione de manera confiable en las condiciones de alta temperatura típicas de los procesos de epitaxia semiconductora. Esta característica es crucial para mantener resultados consistentes y garantizar la calidad del material semiconductor.


Corrosión y resistencia al desgaste: el recubrimiento TAC proporciona una excelente resistencia a la corrosión y al desgaste, asegurando que el soporte de la oblea pueda soportar la exposición a gases y productos químicos reactivos que se encuentran comúnmente en los procesos de semiconductores. Esta durabilidad extiende la vida útil del producto y reduce la necesidad de reemplazos frecuentes, mejorando la eficiencia operativa.


Aplicaciones:


El soporte de oblea de recubrimiento CVD está diseñado específicamente para procesos de epitaxia de semiconductores, donde el control preciso y la integridad del material son esenciales. Se utiliza en técnicas como la epitaxia del haz molecular (MBE), la deposición de vapor químico (CVD) y la deposición de vapor químico metal-orgánico (MOCVD), donde el soporte de la oblea debe soportar temperaturas extremas y entornos reactivos.


En la epitaxia semiconductora, la precisión es crucial para crecer películas delgadas de alta calidad en un sustrato. El titular de la oblea de recubrimiento CVD garantiza que las obleas sean apoyadas y mantenidas de forma segura en condiciones óptimas, lo que contribuye a la producción consistente de materiales semiconductores de alta calidad.


El titular de la oblea de recubrimiento CVD semicorex está diseñado con materiales de vanguardia y tecnologías de recubrimiento avanzadas para satisfacer las altas demandas de epitaxia de semiconductores. El uso de deposición de fluido supercrítico para un recubrimiento TAC grueso y uniforme asegura una durabilidad, precisión y longevidad inigualables. Con su resistencia térmica y química superior, nuestro soporte de oblea está diseñado para ofrecer un rendimiento confiable en los entornos más desafiantes, lo que ayuda a mejorar la eficiencia de sus procesos de fabricación de semiconductores.



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