Segmento interno SiC MOCVD

El segmento interno Semicorex SiC MOCVD está diseñado para ofrecer rendimiento y confiabilidad, proporcionando un componente crítico para el exigente proceso de epitaxia de SiC. Al aprovechar materiales de alta pureza y técnicas de fabricación avanzadas, el segmento interno SiC MOCVD permite el crecimiento de epicapas de SiC de alta calidad, esenciales para la electrónica de potencia de próxima generación y otras aplicaciones de semiconductores avanzadas:

Ventajas materiales:

El segmento interno SiC MOCVD está construido utilizando una combinación de materiales robustos y de alto rendimiento:

Sustrato de grafito de pureza ultraalta (contenido de cenizas < 5 ppm):El sustrato de grafito proporciona una base sólida para el segmento de cubierta. Su contenido de cenizas excepcionalmente bajo minimiza los riesgos de contaminación, asegurando la pureza de las epicapas de SiC durante el proceso de crecimiento.

Recubrimiento CVD SiC de alta pureza (pureza ≥ 99,99995%):Se emplea un proceso de deposición química de vapor (CVD) para aplicar un recubrimiento uniforme de SiC de alta pureza sobre el sustrato de grafito. Esta capa de SiC proporciona una resistencia superior a los precursores reactivos utilizados en la epitaxia de SiC, evitando reacciones no deseadas y garantizando una estabilidad a largo plazo.

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Ventajas de rendimiento en entornos MOCVD:

Estabilidad excepcional a altas temperaturas:La combinación de grafito de alta pureza y CVD SiC proporciona una estabilidad excepcional a las elevadas temperaturas requeridas para la epitaxia de SiC (normalmente por encima de 1500 °C). Esto garantiza un rendimiento constante y evita deformaciones o deformaciones durante un uso prolongado.

Resistencia a precursores agresivos:El segmento interno de SiC MOCVD exhibe una excelente resistencia química a los precursores agresivos, como el silano (SiH4) y el trimetilaluminio (TMAl), comúnmente empleados en los procesos de SiC MOCVD. Esto previene la corrosión y garantiza la integridad a largo plazo del segmento de cubierta.

Baja generación de partículas:La superficie lisa y no porosa del segmento interno de SiC MOCVD minimiza la generación de partículas durante el proceso MOCVD. Esto es crucial para mantener un entorno de proceso limpio y lograr epicapas de SiC de alta calidad y libres de defectos.

Uniformidad de oblea mejorada:Las propiedades térmicas uniformes del segmento interno de SiC MOCVD, combinadas con su resistencia a la deformación, contribuyen a mejorar la uniformidad de la temperatura en toda la oblea durante la epitaxia. Esto conduce a un crecimiento más homogéneo y una mejor uniformidad de las epicapas de SiC.

Vida útil extendida:Las robustas propiedades del material y la resistencia superior a las duras condiciones del proceso se traducen en una vida útil prolongada para el segmento interno Semicorex SiC MOCVD. Esto reduce la frecuencia de los reemplazos, minimiza el tiempo de inactividad y reduce los costos operativos generales.