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Susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura

Susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura

Cuando se trata de fabricación de semiconductores, el susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura Semicorex es la mejor opción para un rendimiento y confiabilidad superiores. Su revestimiento de SiC de alta calidad y su excepcional conductividad térmica lo hacen ideal para su uso incluso en los entornos corrosivos y de alta temperatura más exigentes.

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Descripción del Producto

El susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura Semicorex es la elección perfecta para el crecimiento de monocristales y otras aplicaciones de fabricación de semiconductores que requieren alta resistencia al calor y a la corrosión. Su recubrimiento de carburo de silicio proporciona propiedades superiores de protección y distribución de calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante incluso en los entornos más desafiantes.

En Semicorex, nos enfocamos en brindar susceptores de barril recubiertos de SiC de alta temperatura, rentables y de alta calidad, priorizamos la satisfacción del cliente y brindamos soluciones rentables. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo, ofreciéndole productos de alta calidad y un servicio al cliente excepcional.


Parámetros del susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.

- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.

- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.

- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.




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