Cuando se trata de fabricación de semiconductores, el susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura Semicorex es la mejor opción para un rendimiento y confiabilidad superiores. Su revestimiento de SiC de alta calidad y su excepcional conductividad térmica lo hacen ideal para su uso incluso en los entornos corrosivos y de alta temperatura más exigentes.
El susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura Semicorex es la elección perfecta para el crecimiento de monocristales y otras aplicaciones de fabricación de semiconductores que requieren alta resistencia al calor y a la corrosión. Su recubrimiento de carburo de silicio proporciona propiedades superiores de protección y distribución de calor, lo que garantiza un rendimiento confiable y constante incluso en los entornos más desafiantes.
En Semicorex, nos enfocamos en brindar susceptores de barril recubiertos de SiC de alta temperatura, rentables y de alta calidad, priorizamos la satisfacción del cliente y brindamos soluciones rentables. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo, ofreciéndole productos de alta calidad y un servicio al cliente excepcional.
Parámetros del susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura
Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC |
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Propiedades de SiC-CVD |
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Estructura cristalina |
Fase β de la FCC |
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Densidad |
gramos/cm³ |
3.21 |
Dureza |
Dureza Vickers |
2500 |
Tamaño de grano |
µm |
2~10 |
Pureza química |
% |
99.99995 |
Capacidad calorífica |
J kg-1 K-1 |
640 |
Temperatura de sublimación |
℃ |
2700 |
Fuerza flexural |
MPa (RT 4 puntos) |
415 |
Módulo de Young |
Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃) |
430 |
Expansión Térmica (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Conductividad térmica |
(W/mK) |
300 |
Características del susceptor de barril recubierto de SiC de alta temperatura
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen buena densidad y pueden desempeñar un buen papel protector en entornos de trabajo corrosivos y de alta temperatura.
- El susceptor recubierto de carburo de silicio utilizado para el crecimiento de monocristales tiene una superficie muy plana.
- Reducir la diferencia en el coeficiente de expansión térmica entre el sustrato de grafito y la capa de carburo de silicio, mejorar efectivamente la fuerza de unión para evitar grietas y delaminación.
- Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.
- Alto punto de fusión, resistencia a la oxidación a altas temperaturas, resistencia a la corrosión.