세미코렉스첨단소재기술(주): 웨이퍼 본딩 기술이란?

Los cabezales de ducha Semicorex CVD SiC se utilizan para el grabado CCP. Los grabadores CCP utilizan dos electrodos paralelos (uno conectado a tierra y el otro conectado a una fuente de alimentación de RF) para generar plasma. El plasma se mantiene entre los dos electrodos mediante el campo eléctrico entre ellos. Los electrodos y la placa de distribución de gas están integrados en un único componente. El gas de grabado se rocía uniformemente sobre la superficie de la oblea a través de pequeños orificios en los cabezales de ducha CVD SiC. Simultáneamente, se aplica un voltaje de RF al cabezal de ducha (también al electrodo superior). Este voltaje genera un campo eléctrico entre los electrodos superior e inferior, excitando el gas para formar un plasma. Este diseño da como resultado una estructura más simple y compacta al tiempo que garantiza una distribución uniforme de las moléculas de gas y un campo eléctrico uniforme, lo que permite un grabado uniforme incluso de obleas grandes.

Los cabezales de ducha CVD SiC también se pueden aplicar en grabado ICP. Los grabadores ICP utilizan una bobina de inducción (normalmente un solenoide) para generar un campo magnético de RF, que induce corriente y plasma. Los cabezales de ducha CVD SiC, como componente independiente, son responsables de distribuir uniformemente el gas de grabado en la región del plasma.

El cabezal de ducha CVD SiC es un componente fabricado con precisión y alta pureza para equipos de procesamiento de semiconductores que es fundamental para la distribución de gas y la capacidad de los electrodos. Utilizando la fabricación por deposición química de vapor (CVD), el cabezal de ducha logra una excepción

Pureza total de los materiales y excelente control dimensional que cumple con los rigurosos requisitos de la futura fabricación de semiconductores.