2024-11-29
¿Cuál es el papel deSustratos de SiCen la industria del carburo de silicio?
sustratos de SiCson el componente más crucial en la industria del carburo de silicio y representan casi el 50% de su valor. Sin sustratos de SiC, es imposible fabricar dispositivos de SiC, lo que los convierte en el material base esencial.
En los últimos años, el mercado interno ha logrado una producción masiva deSustrato de carburo de silicio (SiC) de 6 pulgadasproductos. Según el “Informe de investigación de mercado de sustratos de SiC de 6 pulgadas de China”, para 2023, el volumen de ventas de sustratos de SiC de 6 pulgadas en China habrá superado el millón de unidades, lo que representa el 42 % de la capacidad global, y se espera que alcance aproximadamente el 50 %. % para 2026.
En comparación con el carburo de silicio de 6 pulgadas, el carburo de silicio de 8 pulgadas tiene mayores ventajas de rendimiento. En primer lugar, en términos de utilización de material, una oblea de 8 pulgadas tiene un área 1,78 veces mayor que la de una oblea de 6 pulgadas, lo que significa que con el mismo consumo de materia prima,Obleas de 8 pulgadaspuede producir más dispositivos, reduciendo así los costos unitarios. En segundo lugar, los sustratos de SiC de 8 pulgadas tienen mayor movilidad del portador y mejor conductividad, lo que ayuda a mejorar el rendimiento general de los dispositivos. Además, la resistencia mecánica y la conductividad térmica de los sustratos de SiC de 8 pulgadas son superiores a las de los sustratos de 6 pulgadas, lo que mejora la confiabilidad del dispositivo y las capacidades de disipación de calor.
¿Qué importancia tienen las capas epitaxiales de SiC en el proceso de preparación?
El proceso epitaxial representa casi una cuarta parte del valor en la preparación de SiC y es un paso indispensable en la transición de materiales a la preparación de dispositivos de SiC. La preparación de capas epitaxiales implica principalmente hacer crecer una película monocristalina en lasustrato de SiC, que luego se utiliza para fabricar los dispositivos electrónicos de potencia necesarios. Actualmente, el método más común para la fabricación de capas epitaxiales es la deposición química de vapor (CVD), que utiliza reactivos precursores gaseosos para formar películas sólidas mediante reacciones químicas atómicas y moleculares. La preparación de sustratos de SiC de 8 pulgadas es un desafío técnico y, actualmente, sólo un número limitado de fabricantes en todo el mundo puede lograr una producción en masa. En 2023, hay aproximadamente 12 proyectos de expansión relacionados con obleas de 8 pulgadas a nivel global, con sustratos de SiC de 8 pulgadas yobleas epitaxialesya están empezando a enviarse y la capacidad de fabricación de obleas se está acelerando gradualmente.
¿Cómo se identifican y detectan los defectos en los sustratos de carburo de silicio?
El carburo de silicio, con su alta dureza y fuerte inercia química, presenta una serie de desafíos en el procesamiento de sus sustratos, incluidos pasos clave como cortar, adelgazar, esmerilar, pulir y limpiar. Durante la preparación, surgen problemas como pérdida de procesamiento, daños frecuentes y dificultades para mejorar la eficiencia, lo que afecta significativamente la calidad de las capas epitaxiales posteriores y el rendimiento de los dispositivos. Por tanto, la identificación y detección de defectos en sustratos de carburo de silicio son de gran importancia. Los defectos comunes incluyen rayones, protuberancias y hoyos en la superficie.
¿Cómo son los defectos enObleas epitaxiales de carburo de silicio¿Detectado?
En la cadena industrial,obleas epitaxiales de carburo de siliciose colocan entre sustratos de carburo de silicio y dispositivos de carburo de silicio, y se cultivan principalmente mediante el método de deposición química de vapor. Debido a las propiedades únicas del carburo de silicio, los tipos de defectos difieren de los de otros cristales, incluyendo caída, defectos triangulares, defectos de zanahoria, defectos triangulares grandes y agrupamiento escalonado. Estos defectos pueden afectar el rendimiento eléctrico de los dispositivos posteriores, lo que podría provocar averías prematuras y corrientes de fuga importantes.
Defecto de caída
Defecto del triángulo
Defecto de zanahoria
Defecto de triángulo grande
Defecto de agrupación de pasos