Anillos de enfoque de SiC

Los anillos de enfoque de SiC avanzados y de alta pureza de Semicorex están diseñados para resistir los entornos extremos en cámaras de grabado por plasma (o grabado en seco). Nos centramos en industrias de semiconductores como las capas de carburo de silicio y los semiconductores epitaxia. Nuestros productos tienen una buena ventaja de precio y cubren muchos de los mercados europeos y americanos. Esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Semicorex suministra anillos de enfoque de SiC que son realmente estables para RTA, RTP o limpieza con productos químicos agresivos. Los anillos de enfoque o anillos de borde de SiC están diseñados para mejorar la uniformidad del grabado alrededor del borde o perímetro de la oblea. Minimice la contaminación y el mantenimiento no programado con componentes de alta pureza diseñados para los rigores del procesamiento de grabado con plasma. Nuestros anillos de enfoque de SiC con revestimiento de SiC son un revestimiento de carburo de silicio (SiC) denso y resistente al desgaste. Tiene altas propiedades de resistencia a la corrosión y al calor, así como una excelente conductividad térmica. Aplicamos SiC en capas finas sobre el grafito mediante el proceso de deposición química de vapor (CVD).

Parámetros de los anillos de enfoque de SiC

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC
Propiedades de SiC-CVD
Estructura cristalina	Fase β de la FCC
Densidad	gramos/cm³	3.21
Dureza	Dureza Vickers	2500
Tamaño de grano	μm	2~10
Pureza química	%	99.99995
Capacidad calorífica	J kg-1 K-1	640
Temperatura de sublimación	℃	2700
Fuerza flexural	MPa (RT 4 puntos)	415
Módulo de Young	Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)	430
Expansión Térmica (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Conductividad térmica	(W/mK)	300

Características de los anillos de enfoque de SiC

- Recubrimientos CVD de Carburo de Silicio para mejorar la vida útil.

- Aislamiento térmico fabricado en carbono rígido purificado de altas prestaciones.

- Calentador y placa de carbono/compuesto de carbono. - Tanto el sustrato de grafito como la capa de carburo de silicio tienen una alta conductividad térmica y excelentes propiedades de distribución del calor.

- Recubrimiento de SiC y grafito de alta pureza para resistencia a perforaciones y mayor vida útil