Soporte para oblea

Semicorex Wafer Holder está ingeniosamente diseñado con un núcleo hecho de grafito de alta pureza y meticulosamente recubierto con carburo de silicio (SiC) para cumplir con los exigentes requisitos de los equipos de epitaxia en fase líquida (LPE). Su construcción y selección de materiales son absolutamente cruciales para mantener la integridad de las obleas durante los procesos de alta temperatura inherentes a la fabricación de semiconductores.

El soporte para obleas de grafito recubierto de SiC demuestra una excelente resistencia al desgaste, una característica vital para mantener las dimensiones precisas y la calidad de la superficie requerida para un manejo óptimo de las obleas. En los procesos LPE, la integridad de la superficie del soporte de la oblea es primordial, ya que cualquier degradación o irregularidad podría provocar defectos en la oblea, lo que provocaría menores rendimientos y un mayor desperdicio. El recubrimiento de SiC garantiza que el soporte de oblea mantenga una superficie lisa y estable durante ciclos repetidos, lo que contribuye a la confiabilidad y consistencia general del proceso de epitaxia.

Además, el revestimiento de SiC mejora el rendimiento térmico del soporte para oblea. La alta conductividad térmica del carburo de silicio garantiza una distribución uniforme del calor a través de la oblea durante el proceso de epitaxia, crucial para prevenir gradientes térmicos que podrían causar deformaciones o grietas en las obleas. Esto garantiza que los productos finales cumplan con los estrictos estándares de calidad requeridos en la fabricación de semiconductores. La combinación de las propiedades térmicas inherentes del grafito con los beneficios adicionales del recubrimiento de SiC crea un soporte para oblea capaz de soportar los ambientes térmicos más desafiantes.

El diseño del Wafer Holder está optimizado para su aplicación en equipos LPE. El soporte de las obleas está mecanizado con precisión para acomodar las obleas de forma segura, minimizando el riesgo de movimiento o desalineación durante el proceso de epitaxia. Esta precisión es crucial, ya que incluso el más mínimo cambio en la posición de la oblea puede provocar una deposición desigual, afectando el rendimiento de los dispositivos semiconductores que se fabrican. El soporte para obleas de grafito recubierto de SiC proporciona la estabilidad necesaria, asegurando que las obleas permanezcan en la posición correcta durante todo el proceso.

                                                        Estructura LEP, de LPE