Aceptador de oblea

Semicorex Wafer Susceptor está fabricado por expertos a partir de grafito y recubierto con carburo de silicio (SiC) para cumplir con las exigentes condiciones de la fabricación moderna de semiconductores.

En los procesos de epitaxia, mantener un ambiente estable y controlado es absolutamente esencial. El Wafer Susceptor sirve como plataforma fundamental sobre la que se colocan las obleas durante la deposición, cumpliendo con requisitos precisos de uniformidad de temperatura, inercia química y resistencia mecánica para lograr capas epitaxiales de alta calidad.

La elección del grafito como material base para el Wafer Susceptor se debe a su excelente conductividad térmica y propiedades mecánicas. La capacidad del grafito para soportar altas temperaturas manteniendo la integridad estructural es crucial en los entornos de alta temperatura de los reactores de epitaxia. Además, la conductividad térmica del grafito garantiza una distribución eficiente del calor a través de la oblea, lo que reduce el riesgo de gradientes de temperatura que podrían provocar defectos en la capa epitaxial.

Para mejorar el rendimiento del Wafer Susceptor, se aplica de manera experta un recubrimiento de carburo de silicio (SiC) a la base de grafito. El SiC es un material muy duradero con una resistencia química superior, lo que lo hace ideal para su uso en entornos de semiconductores donde a menudo hay gases reactivos. El recubrimiento de SiC proporciona una barrera protectora que protege el grafito de posibles reacciones químicas, asegurando la longevidad del susceptor de la oblea y manteniendo un ambiente limpio dentro del reactor.

El susceptor de oblea Semicorex fabricado con grafito recubierto de SiC es un componente indispensable en los procesos de epitaxia de semiconductores. Su combinación de las propiedades térmicas y mecánicas del grafito con la estabilidad química y térmica del carburo de silicio lo hace ideal para las rigurosas demandas de la fabricación moderna de semiconductores. El diseño de una sola oblea ofrece un control preciso sobre el proceso de epitaxia, lo que contribuye a la producción de dispositivos semiconductores de alta calidad. Este susceptor garantiza que las obleas se manipulen con el máximo cuidado y precisión, lo que da como resultado capas epitaxiales superiores y productos semiconductores de mejor rendimiento.