Barril de SiC para epitaxia de silicio

Semicorex SiC Barrel For Silicon Epitaxy está diseñado para cumplir con los exigentes requisitos de los materiales aplicados y las unidades LPE. Elaborado con precisión e innovación, este susceptor en forma de barril está fabricado con grafito recubierto de SiC de alta calidad, lo que garantiza un rendimiento y una durabilidad excepcionales en aplicaciones de epitaxia de silicio. Semicorex se compromete a ofrecer productos de calidad a precios competitivos y esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

El barril Semicorex SiC para epitaxia de silicio está construido con material de grafito recubierto con carburo de silicio (SiC). Esta construcción única garantiza una excelente resistencia a los choques térmicos y la degradación química, lo que prolonga la vida útil del susceptor y mantiene la confiabilidad del proceso.

El recubrimiento avanzado de SiC en SiC Barrel For Silicon Epitaxy proporciona una conductividad térmica y distribución de calor superiores, promoviendo perfiles de temperatura uniformes en todo el susceptor. Esto mejora el control del proceso, minimiza los gradientes térmicos y garantiza un crecimiento constante de la capa epitaxial, lo que da como resultado películas de silicio de alta calidad con una uniformidad y pureza excepcionales.

Nuestro barril de SiC para epitaxia de silicio se puede personalizar para cumplir con requisitos y preferencias específicos. Desde ajustes de tamaño hasta variaciones de espesor de recubrimiento, ofrecemos flexibilidad en el diseño para adaptarnos a diversos parámetros del proceso y optimizar el rendimiento para aplicaciones específicas.

Nuestro barril de SiC para epitaxia de silicio ofrece confiabilidad y longevidad, lo que reduce el tiempo de inactividad y los costos de mantenimiento asociados con los reemplazos frecuentes. Su construcción robusta y su rendimiento excepcional contribuyen a mejorar la eficiencia del proceso y, en última instancia, mejoran la productividad y la rentabilidad de las operaciones de fabricación de semiconductores.