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Susceptor de barril con revestimiento de SiC

Susceptor de barril con revestimiento de SiC

Semicorex Barrel Susceptor con revestimiento de SiC es una solución de vanguardia diseñada para elevar la eficiencia y precisión de los procesos epitaxiales de silicio. Elaborado con meticulosa atención al detalle, este susceptor de barril con revestimiento de SiC está diseñado para cumplir con los exigentes requisitos de la fabricación de semiconductores, sirviendo como soporte óptimo para obleas y facilitando la transferencia perfecta de calor a las obleas. Semicorex se compromete a ofrecer productos de calidad a precios competitivos y esperamos convertirnos en su socio a largo plazo en China.

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Descripción del Producto

Construido con grafito isostático de alta calidad, reconocido por su excepcional conductividad térmica y durabilidad, nuestro Barrel Susceptor con revestimiento de SiC garantiza un rendimiento confiable y longevidad en los entornos más exigentes. Además, el Barrel Susceptor con revestimiento de SiC presenta un revestimiento especializado de carburo de silicio (SiC), que mejora su estabilidad térmica y garantiza una distribución uniforme del calor en toda la superficie de la oblea.

El diseño en forma de barril de nuestro susceptor de barril con revestimiento de SiC ofrece una versatilidad incomparable, perfectamente adecuado para la integración con unidades Applied Material y LPE. Su configuración innovadora optimiza el proceso de crecimiento epitaxial, promoviendo resultados consistentes y de alta calidad con cada uso.


Características clave del susceptor de barril Semicorex con revestimiento de SiC:

La construcción de grafito isostático garantiza una conductividad térmica y durabilidad excepcionales.

El recubrimiento de carburo de silicio (SiC) mejora la estabilidad térmica y promueve una distribución uniforme del calor.

El diseño en forma de barril proporciona versatilidad y compatibilidad con unidades Applied Material y LPE.

Personalizado para cumplir con los requisitos específicos de los procesos epitaxiales de silicio, garantizando un rendimiento y confiabilidad óptimos.



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