Hogar > Productos > Recubierto de carburo de silicio > Aceptador MOCVD > Susceptor MOCVD de sustrato de grafito de carburo de silicio
Susceptor MOCVD de sustrato de grafito de carburo de silicio

Susceptor MOCVD de sustrato de grafito de carburo de silicio

El susceptor MOCVD de sustrato de grafito de carburo de silicio Semicorex es la mejor opción para los fabricantes de semiconductores que buscan un soporte de alta calidad que pueda ofrecer un rendimiento y una durabilidad superiores. Su material avanzado garantiza un perfil térmico uniforme y un patrón de flujo de gas laminar, lo que proporciona obleas de alta calidad.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

Nuestro susceptor MOCVD de sustrato de grafito de carburo de silicio es altamente puro y se fabrica mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura, lo que garantiza la uniformidad y consistencia del producto. También es altamente resistente a la corrosión, con una superficie densa y partículas finas, lo que lo hace resistente a ácidos, álcalis, sales y reactivos orgánicos. Su resistencia a la oxidación a altas temperaturas garantiza la estabilidad a altas temperaturas de hasta 1600 °C.
Contáctenos hoy para obtener más información sobre nuestro susceptor MOCVD de sustrato de grafito de carburo de silicio.


Parámetros del susceptor MOCVD de sustrato de grafito de carburo de silicio

Especificaciones principales del recubrimiento CVD-SIC

Propiedades de SiC-CVD

Estructura cristalina

Fase β de la FCC

Densidad

gramos/cm³

3.21

Dureza

Dureza Vickers

2500

Tamaño de grano

µm

2~10

Pureza química

%

99.99995

Capacidad calorífica

J kg-1 K-1

640

Temperatura de sublimación

2700

Fuerza flexural

MPa (RT 4 puntos)

415

Módulo de Young

Gpa (curvatura de 4 puntos, 1300 ℃)

430

Expansión Térmica (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Conductividad térmica

(W/mK)

300


Características del susceptor de grafito recubierto de SiC para MOCVD

- Evite que se despegue y garantice el recubrimiento en toda la superficie.
Resistencia a la oxidación a altas temperaturas: estable a altas temperaturas de hasta 1600 °C
Alta pureza: elaborado mediante deposición química de vapor CVD en condiciones de cloración a alta temperatura.
Resistencia a la corrosión: alta dureza, superficie densa y partículas finas.
Resistencia a la corrosión: ácidos, álcalis, sal y reactivos orgánicos.
- Lograr el mejor patrón de flujo de gas laminar
- Garantizar la uniformidad del perfil térmico.
- Prevenir cualquier contaminación o difusión de impurezas.




Etiquetas calientes: Susceptor MOCVD de sustrato de grafito de carburo de silicio, China, fabricantes, proveedores, fábrica, personalizado, a granel, avanzado, duradero
Categoría relacionada
Enviar Consulta
Por favor, siéntase libre de dar su consulta en el siguiente formulario. Le responderemos en 24 horas.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept